Détails sur le produit:
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Nom de produit: | Transistor de puissance de transistor MOSFET | modèle: | AP15N10D |
---|---|---|---|
Paquet: | TO-252 | Repérage: | AP15N10D XXX YYYY |
Tension de VDSDrain-source: | 100V | Tension de rce de VGSGate-Sou: | ±20V |
Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
Transistor de puissance fait sur commande de transistor MOSFET bas SUR la résistance AP15N10D
Applications de transistor de puissance de transistor MOSFET
La technologie de la puissance MOSEFET s'applique à beaucoup de types de circuit. Les applications incluent :
Description de transistor de puissance de transistor MOSFET :
La technologie avancée de fossé d'utilisations d'AP15N10D
et conception pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS) le bas gat
charge d'e. Elle peut être employée dans une grande variété d'applications.
C'est ESD protesté.
Caractéristiques de transistor de puissance de transistor MOSFET
VDS =100V, IDENTIFICATION =15A
LE RDS (DESSUS) <112m>
Inscription et information de commande de paquet
Identité de produit | Paquet | Repérage | Quantité (PCS) |
AP15N10D | TO-252 | AP15N10D XXX YYYY | 2500 |
Capacités absolues (℃ de T C =25 sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Évaluation | Unités |
V DS | Tension de Drain-source | 100 | V |
V GS | Tension de rce de porte-Sou | ±20 | V |
℃ de l'identification @TC=25 | Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 | 15 | A |
℃ de l'identification @TC=100 | Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 | 7,7 | A |
℃ de l'identification @TA=25 | Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 | 3 | A |
℃ de l'identification @TA=70 | Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 | 2,4 | A |
IDM | Courant pulsé 2 de drain | 24 | A |
EAS | Énergie simple 3 d'avalanche d'impulsion | 6,1 | MJ |
IAS | Courant d'avalanche | 11 | A |
℃ DE P D@TC =25 | Dissipation de puissance totale 3 | 34,7 | W |
℃ DE P D@TA =25 | Dissipation de puissance totale 3 | 2 | W |
TSTG | Température ambiante de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
TJ | Température ambiante fonctionnante de jonction | -55 à 150 | ℃ |
RθJA | Résistance thermique 1 Jonction-ambiant | 62 | ℃/W |
RθJC | Jonction-cas 1 de résistance thermique | 3,6 | ℃/W |
Caractéristiques électriques (℃ de TJ =25, sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Conditions | Minimal. | Type. | Maximum. | Unité |
LA BV SAD | Tension claque de Drain-source | V GS=0V, I D=250uA | 100 | --- | --- | V |
△BV SAD △TJ | Coefficient de température de BVDSS | Référence 25 au ℃, ID=1mA | --- | 0,098 | --- | V/℃ |
LE RDS (DESSUS) | Sur-résistance statique 2 de Drain-source | V GS=10V, ID=10A | --- | 93 | 112 | mΩ |
V GS=4.5V, ID=8A | --- | 97 | 120 | mΩ | ||
V GS (Th) | Tension de seuil de porte | 1,0 | --- | 2,5 | V | |
△VGS (Th) | V coefficient de température de GS (Th) | --- | -4,57 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Courant de fuite de Drain-source | V DS=80V, V GS=0V, ℃ DE TJ =25 | --- | --- | 1 | uA |
V DS=80V, V GS=0V, ℃ DE TJ =55 | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Courant de fuite de Porte-source | V GS = ±20V, V DS=0V | --- | --- | ±100 | Na |
gfs | Transconductance en avant | V DS=5V, ID=10A | --- | 13 | --- | S |
Rg | Résistance de porte | V DS=0V, V GS=0V, f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
Qg | Charge totale de porte (10V) | --- | 26,2 | --- | ||
Qgs | Charge de Porte-source | --- | 4,6 | --- | ||
Qgd | Charge de Porte-drain | --- | 5,1 | --- | ||
Le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture |
V DD=50V, V GS=10V, RG=3.3 ID=10A |
--- | 4,2 | --- |
NS |
TR | ||||||
Le TD () | Temps de retard d'arrêt | --- | 35,6 | --- | ||
Tf | Temps de chute | --- | 9,6 | --- | ||
Ciss | Capacité d'entrée | --- | 1535 | --- | ||
Coss | Capacité de sortie | --- | 60 | --- | ||
Crss | Capacité inverse de transfert | --- | 37 | --- | ||
EST | Courant de source continu 1,5 | V G=VD=0V, forcent le courant | --- | --- | 12 | A |
ISM | Courant de source pulsé 2,5 | --- | --- | 24 | A | |
V ÉCART-TYPE | Tension en avant 2 de diode | V GS=0V, I S=1A, ℃ DE TJ =25 | --- | --- | 1,2 | V |
trr | Temps de rétablissement inverse | IF=10A, dI/dt=100A/µs, | --- | 37 | --- | NS |
Qrr | Charge inverse de récupération | --- | 27,3 | --- | OR |
Symbole | Paramètre | Conditions | Minimal. | Type. | Maximum. | Unité |
LA BV SAD | Tension claque de Drain-source | V GS=0V, I D=250uA | 100 | --- | --- | V |
△BV SAD △TJ | Coefficient de température de BVDSS | Référence 25 au ℃, ID=1mA | --- | 0,098 | --- | V/℃ |
LE RDS (DESSUS) | Sur-résistance statique 2 de Drain-source | V GS=10V, ID=10A | --- | 93 | 112 | mΩ |
V GS=4.5V, ID=8A | --- | 97 | 120 | mΩ | ||
V GS (Th) | Tension de seuil de porte | 1,0 | --- | 2,5 | V | |
△VGS (Th) | V coefficient de température de GS (Th) | --- | -4,57 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Courant de fuite de Drain-source | V DS=80V, V GS=0V, ℃ DE TJ =25 | --- | --- | 1 | uA |
V DS=80V, V GS=0V, ℃ DE TJ =55 | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Courant de fuite de Porte-source | V GS = ±20V, V DS=0V | --- | --- | ±100 | Na |
gfs | Transconductance en avant | V DS=5V, ID=10A | --- | 13 | --- | S |
Rg | Résistance de porte | V DS=0V, V GS=0V, f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
Qg | Charge totale de porte (10V) | --- | 26,2 | --- | ||
Qgs | Charge de Porte-source | --- | 4,6 | --- | ||
Qgd | Charge de Porte-drain | --- | 5,1 | --- | ||
Le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture |
V DD=50V, V GS=10V, RG=3.3 ID=10A |
--- | 4,2 | --- |
NS |
TR | ||||||
Le TD () | Temps de retard d'arrêt | --- | 35,6 | --- | ||
Tf | Temps de chute | --- | 9,6 | --- | ||
Ciss | Capacité d'entrée | --- | 1535 | --- | ||
Coss | Capacité de sortie | --- | 60 | --- | ||
Crss | Capacité inverse de transfert | --- | 37 | --- | ||
EST | Courant de source continu 1,5 | V G=VD=0V, forcent le courant | --- | --- | 12 | A |
ISM | Courant de source pulsé 2,5 | --- | --- | 24 | A | |
V ÉCART-TYPE | Tension en avant 2 de diode | V GS=0V, I S=1A, ℃ DE TJ =25 | --- | --- | 1,2 | V |
trr | Temps de rétablissement inverse | IF=10A, dI/dt=100A/µs, | --- | 37 | --- | NS |
Qrr | Charge inverse de récupération | --- | 27,3 | --- | OR |
Note :
les données 1.The ont examiné par la surface montée sur un conseil de 1 pouce FR-4 avec le cuivre 2OZ. les données 2.The ont examiné par pulsé, le ≦ 300us, le coefficient d'utilisation ≦2% de durée d'impulsion
les données de 3.The EAS montrent l'estimation maximale. La condition d'essai est VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=11A
la dissipation de puissance 4.The est limitée par la température de jonction de 150 ℃
5. Les données sont théoriquement identique qu'IDand IDM, dans de vraies applications, devrait être limité par dissipation de puissance totale.
Attention
1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.
2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.
3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.
4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tâche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.
5, au cas où tout ou une partie de produits de la microélectronique d'APM (données techniques y compris, services) décrits ou contenus ci-dessus seraient commandés sous un quelconque de lois et de règlements de contrôle des exportations locales applicables, de tels produits ne doivent pas être exportés sans obtenir le permis d'exportation des autorités concernées selon la loi ci-dessus.
6, aucune partie de cette publication peuvent être reproduits ou transmis sous n'importe quelle forme ou par tous les moyens, électronique ou mécanique, y compris la photocopiage et l'enregistrement, ou n'importe quel système de stockage ou de récupération de l'information, ou autrement, sans autorisation écrite préalable du semi-conducteur Cie. de la microélectronique d'APM, Ltd.
7, l'information (schémas de circuit y compris et paramètres de circuit) est ci-dessus par exemple seulement ; on ne le garantit pas pour la production de masse. La microélectronique d'APM croit que l'information ci-dessus est précise et fiable, mais aucune garantie n'est faite ou est impliquée concernant son utilisation ou toutes les infractions à des droits de propriété intellectuelle ou à d'autres droits des tiers.
8, l'intégralité d'information décrits ou contenus ci-dessus sont sujets au changement sans préavis dû au produit/à amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer.
Personne à contacter: David