Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Commutateur de transistor MOSFET de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AP15N10S/15A 100V

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Commutateur de transistor MOSFET de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AP15N10S/15A 100V

Commutateur de transistor MOSFET de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AP15N10S/15A 100V
Commutateur de transistor MOSFET de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AP15N10S/15A 100V Commutateur de transistor MOSFET de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AP15N10S/15A 100V Commutateur de transistor MOSFET de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AP15N10S/15A 100V

Image Grand :  Commutateur de transistor MOSFET de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AP15N10S/15A 100V

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: AP15N10S
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Commutateur de transistor MOSFET de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AP15N10S/15A 100V

description de
Nom de produit: Transistor à effet de champ de MOS modèle: AP15N10S
Paquet: SOP-8 Repérage: AP15N10S XXX YYYY
Tension de VDSDrain-source: 100V Tension de rce de VGSGate-Sou: ±20V
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

Commutateur de transistor MOSFET de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AP15N10S/15A 100V

 

Introduction de transistor à effet de champ de MOS

 

Des transistors MOSFET de puissance sont normalement utilisés dans les applications où les tensions ne dépassent pas environ 200 volts. Des tensions plus élevées ne sont pas aussi facilement réalisables. Là où les transistors MOSFET de puissance sont utilisés, c'est leur bas SUR la résistance qui est particulièrement attrayante. Ceci réduit la dissipation de puissance qui réduit le coût et classe moins de métal ouvré et le refroidissement est exigé. Également le bas SUR la résistance signifie que des niveaux d'efficacité peuvent être maintenus à un de plus haut niveau

 

Caractéristiques de transistor à effet de champ de MOS

 

VDS = 100V IDENTIFICATION =15A
LE RDS (DESSUS) < 120m="">

 

Application de transistor à effet de champ de MOS

 

VDS = 100V IDENTIFICATION =15A
LE RDS (DESSUS) < 120m="">

 

Inscription et information de commande de paquet

 

Identité de produit Paquet Repérage Quantité (PCS)
AP15N10S SOP-8 AP15N10S XXX YYYY 3000

 

Capacités absolues (TC=25℃ sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Évaluation Unités
VDS Tension de Drain-source 100 V
VGS Tension de rce de porte-Sou ±20 V
ID@TA =25℃ Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 15 A
ID@TA =70℃ Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 7 A
IDM Drain pulsé Current2 30 A
EAS Énergie simple 3 d'avalanche d'impulsion 6,1 MJ
IAS Courant d'avalanche 11 A
℃ de PD@TA =25 Puissance totale Dissipation3 1,5 W
TSTG Température ambiante de température de stockage -55 à 150
TJ Température ambiante fonctionnante de jonction -55 à 150
RθJA Résistance thermique 1 Jonction-ambiant 85 ℃/W
RθJC Jonction-cas 1 de résistance thermique 36 ℃/W

 

Caractéristiques électriques (de TJ =25, sauf indication contraire

 

 

Symbole Paramètre Conditions Minimal. Type. Maximum. Unité
BVDSS Tension claque de Drain-source VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
△ BVDSS/△TJ Coefficient de température de BVDSS Référence à 25℃, ID=1mA --- 0,098 --- V/℃

 

LE RDS (DESSUS)

 

Sur-résistance statique de Drain-source

VGS=10V, I D=2A --- 90 112
VGS=4.5V, ID=1A --- 95 120
VGS (Th) Tension de seuil de porte   1,0 1,5 2,5 V
           
△VGS (Th) Coefficient de température de VGS (Th)   --- -4,57 --- mV/℃

 

IDSS

 

Courant de fuite de Drain-source

VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 10

 

uA

VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 100
IGSS Courant de fuite de Porte-source VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 Na
gfs Transconductance en avant VDS=5V, ID=2A --- 12 --- S
Rg Résistance de porte VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 2 4  
Qg Charge totale de porte (10V)   --- 19,5 ---  
Qgs Charge de Porte-source --- 3,2 ---
Qgd Charge de Porte-drain --- 3,6 ---
Le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture

 

VDD=50V, VGS=10V,

--- 16,2 ---  
TR Temps de montée --- 3 ---
Le TD () Temps de retard d'arrêt --- 44 ---
Tf Temps de chute --- 2,6 ---
Ciss Capacité d'entrée   --- 1535 ---  
Coss Capacité de sortie --- 60 ---
Crss Capacité inverse de transfert --- 37,4 ---
EST Courant de source continu 1,5

 

VG=VD=0V, courant de force

--- --- 4 A
ISM Courant de source pulsé 2,5 --- --- 8 A
VSD La diode expédient Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1,2 V
Symbole Paramètre Conditions Minimal. Type. Maximum. Unité
BVDSS Tension claque de Drain-source VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
△ BVDSS/△TJ Coefficient de température de BVDSS Référence à 25℃, ID=1mA --- 0,098 --- V/℃

 

LE RDS (DESSUS)

 

Sur-résistance statique de Drain-source

VGS=10V, I D=2A --- 90 112
VGS=4.5V, ID=1A --- 95 120
VGS (Th) Tension de seuil de porte   1,0 1,5 2,5 V
           
△VGS (Th) Coefficient de température de VGS (Th)   --- -4,57 --- mV/℃

 

IDSS

 

Courant de fuite de Drain-source

VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 10

 

uA

VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 100
IGSS Courant de fuite de Porte-source VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 Na
gfs Transconductance en avant VDS=5V, ID=2A --- 12 --- S
Rg Résistance de porte VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 2 4  
Qg Charge totale de porte (10V)   --- 19,5 ---  
Qgs Charge de Porte-source --- 3,2 ---
Qgd Charge de Porte-drain --- 3,6 ---
Le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture

 

VDD=50V, VGS=10V,

--- 16,2 ---  
TR Temps de montée --- 3 ---
Le TD () Temps de retard d'arrêt --- 44 ---
Tf Temps de chute --- 2,6 ---
Ciss Capacité d'entrée   --- 1535 ---  
Coss Capacité de sortie --- 60 ---
Crss Capacité inverse de transfert --- 37,4 ---
EST Courant de source continu 1,5

 

VG=VD=0V, courant de force

--- --- 4 A
ISM Courant de source pulsé 2,5 --- --- 8 A
VSD La diode expédient Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1,2 V

 

Note :

 

les données 1.The ont examiné par la surface montée sur un 1 conseil d'inch2 FR-4 avec le cuivre 2OZ.

les données 2.The ont examiné par pulsé, le ≦ 300us, le ≦ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation

les données de 3.The EAS montrent l'estimation maximale. La condition d'essai est VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=11A

la dissipation de puissance 4.The est limitée par la température de jonction 175℃

les données 5.The sont théoriquement identique que l'identification et l'IDM, dans de vraies applications, devraient être limité par dissipation de puissance totale

 

Attention

 

1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.

2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.

3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.

4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tâche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.

5, au cas où tout ou une partie de produits de la microélectronique d'APM (données techniques y compris, services) décrits ou contenus ci-dessus seraient commandés sous un quelconque de lois et de règlements de contrôle des exportations locales applicables, de tels produits ne doivent pas être exportés sans obtenir le permis d'exportation des autorités concernées selon la loi ci-dessus.

6, aucune partie de cette publication peuvent être reproduits ou transmis sous n'importe quelle forme ou par tous les moyens, électronique ou mécanique, y compris la photocopiage et l'enregistrement, ou n'importe quel système de stockage ou de récupération de l'information, ou autrement, sans autorisation écrite préalable du semi-conducteur Cie. de la microélectronique d'APM, Ltd.

7, l'information (schémas de circuit y compris et paramètres de circuit) est ci-dessus par exemple seulement ; on ne le garantit pas pour la production de masse. La microélectronique d'APM croit que l'information ci-dessus est précise et fiable, mais aucune garantie n'est faite ou est impliquée concernant son utilisation ou toutes les infractions à des droits de propriété intellectuelle ou à d'autres droits des tiers.

8, l'intégralité d'information décrits ou contenus ci-dessus sont sujets au changement sans préavis dû au produit/à amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer.

 

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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