Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Convertisseurs du transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP25N10X 25A 100V TO-252 SOP-8 DC-DC

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Convertisseurs du transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP25N10X 25A 100V TO-252 SOP-8 DC-DC

Convertisseurs du transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP25N10X 25A 100V TO-252 SOP-8 DC-DC
Convertisseurs du transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP25N10X 25A 100V TO-252 SOP-8 DC-DC Convertisseurs du transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP25N10X 25A 100V TO-252 SOP-8 DC-DC Convertisseurs du transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP25N10X 25A 100V TO-252 SOP-8 DC-DC Convertisseurs du transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP25N10X 25A 100V TO-252 SOP-8 DC-DC

Image Grand :  Convertisseurs du transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP25N10X 25A 100V TO-252 SOP-8 DC-DC

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: AP25N10X
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Convertisseurs du transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP25N10X 25A 100V TO-252 SOP-8 DC-DC

description de
Nom de produit: Transistor de puissance de transistor MOSFET modèle: AP25N10X
Paquet: SOP-8 Repérage: AP25N10S XXX YYYY
Tension de VDSDrain-source: 100V Tension de rce de VGSGate-Sou: ±20V
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

Convertisseurs du transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP25N10X 25A 100V TO-252 SOP-8 DC-DC

 

Description de transistor de puissance de transistor MOSFET :

 

Utilisation VD avancé d'AP25N10X LA PLUPART de technologie à
fournissez le bas RDS (DESSUS), basse charge de porte, commutation rapide
Ce dispositif est particulièrement conçu pour obtenir une meilleure rugosité
et approprié pour employer dedans
Le bas RDS (dessus) et FOM
Extrêmement - basse perte de commutation
Excellents stabilité et uniformité ou inverseurs

 

Caractéristiques de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

VDS =100V I D =25 A
LE RDS (DESSUS) < 55m=""> LE RDS (DESSUS) < 85m="">

 

Application de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

Contrôle de moteur électronique d'alimentation d'énergie du consommateur
C.C d'isolement parrectification
applications de Synchrone-rectification

 

Inscription et information de commande de paquet

 

Identité de produit Paquet Repérage Quantité (PCS)
AP25N10S SOP-8 AP25N10S XXX YYYY 3000
AP25N10D TO-252-3 AP25N10D XXX YYYY 2500

 

Ratings@Tj maximum absolu =25 C (sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Évaluation Unités
VDS Tension de Drain-source 100 V
VGS Tension de Porte-source +20 V
ID@TC =25℃ Vidangez le courant, VGS @ 10V 25 A
ID@TC =100℃ Vidangez le courant, VGS @ 10V 15 A
IDM Drain pulsé Current1 60 A
PD@TC =25℃ Dissipation de puissance totale 44,6 W
PD@TA =25℃ Dissipation de puissance totale 2 W
T STG Température ambiante de température de stockage -55 à 150
T J Température ambiante fonctionnante de jonction -55 à 150

Rthj-c Résistance thermique maximum, Jonction-cas 2,8 ℃/W
Rthj-a

Résistance thermique maximum, Jonction-ambiante

(Bâti de carte PCB)

62,5 ℃/W

 

Characteristics@Tj électrique =25 C (sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Conditions d'essai Minimal. Type. Maximum. Unités
BVDSS Tension claque de Drain-source VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA 100 - - V
LE RDS (DESSUS)

Drain-source statique sur

Resistance2

VGS =10V, I =12A - - 55
VGS =5V, IDENTIFICATION =8A - - 85
VGS (Th) Tension de seuil de porte VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA 0,9 - 2,5 V
gfs Transconductance en avant VDS =10V, I =12A - 14 - S
IDSS Courant de fuite de Drain-source VDS =80V, VGS =0V - - 25 uA
IGSS Fuite de Porte-source VGS = +20V, VDS =0V - - +100 Na
Qg Porte totale Charge2 ID=12A - 13,5 21,6 OR
Qgs Charge de Porte-source - 3 - OR
Qgd Charge de Porte-drain (« Miller ») - 9 - OR
le TD (dessus) Retard d'ouverture Time2 VDS =50V - 6,5 - NS
TR Temps de montée - 18 - NS
le TD () Temps de retard d'arrêt - 20 - NS
tf Temps de chute - 5 - NS
Ciss Capacité d'entrée

VGS =0V

VDS =25V

- 840 1340 PF
Coss Capacité de sortie - 115 - PF
Crss Capacité inverse de transfert - 80 - PF
Rg Résistance de porte f=1.0MHz - 1,6 - Ω
VSD Expédiez sur Voltage2 IS=12A, VGS =0V - - 1,3 V
trr Récupération inverse Time2

IS=12A, VGS =0V

dI/dt=100A/µs

- 40 - NS
Qrr Charge inverse de récupération   - 70 - OR
Symbole Paramètre Conditions d'essai Minimal. Type. Maximum. Unités
BVDSS Tension claque de Drain-source VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA 100 - - V
LE RDS (DESSUS)

Drain-source statique sur

Resistance2

VGS =10V, I =12A - - 55
VGS =5V, IDENTIFICATION =8A - - 85
VGS (Th) Tension de seuil de porte VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA 0,9 - 2,5 V
gfs Transconductance en avant VDS =10V, I =12A - 14 - S
IDSS Courant de fuite de Drain-source VDS =80V, VGS =0V - - 25 uA
IGSS Fuite de Porte-source VGS = +20V, VDS =0V - - +100 Na
Qg Porte totale Charge2 ID=12A - 13,5 21,6 OR
Qgs Charge de Porte-source - 3 - OR
Qgd Charge de Porte-drain (« Miller ») - 9 - OR
le TD (dessus) Retard d'ouverture Time2 VDS =50V - 6,5 - NS
TR Temps de montée - 18 - NS
le TD () Temps de retard d'arrêt - 20 - NS
tf Temps de chute - 5 - NS
Ciss Capacité d'entrée

VGS =0V

VDS =25V

- 840 1340 PF
Coss Capacité de sortie - 115 - PF
Crss Capacité inverse de transfert - 80 - PF
Rg Résistance de porte f=1.0MHz - 1,6 - Ω
VSD Expédiez sur Voltage2 IS=12A, VGS =0V - - 1,3 V
trr Récupération inverse Time2

IS=12A, VGS =0V

dI/dt=100A/µs

- 40 - NS
Qrr Charge inverse de récupération   - 70 - OR

 

Notes :

 

1. Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximale. essai 2.Pulse

3.Surface monté sur 1 po

protection 2 de cuivre du panneau FR4

 

 

Attention

 

1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.

2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.

3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.

4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tâche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.

5, au cas où tout ou une partie de produits de la microélectronique d'APM (données techniques y compris, services) décrits ou contenus ci-dessus seraient commandés sous un quelconque de lois et de règlements de contrôle des exportations locales applicables, de tels produits ne doivent pas être exportés sans obtenir le permis d'exportation des autorités concernées selon la loi ci-dessus.

6, aucune partie de cette publication peuvent être reproduits ou transmis sous n'importe quelle forme ou par tous les moyens, électronique ou mécanique, y compris la photocopiage et l'enregistrement, ou n'importe quel système de stockage ou de récupération de l'information, ou autrement, sans autorisation écrite préalable du semi-conducteur Cie. de la microélectronique d'APM, Ltd.

7, l'information (schémas de circuit y compris et paramètres de circuit) est ci-dessus par exemple seulement ; on ne le garantit pas pour la production de masse. La microélectronique d'APM croit que l'information ci-dessus est précise et fiable, mais aucune garantie n'est faite ou est impliquée concernant son utilisation ou toutes les infractions à des droits de propriété intellectuelle ou à d'autres droits des tiers.

8, l'intégralité d'information décrits ou contenus ci-dessus sont sujets au changement sans préavis dû au produit/à amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer.

 

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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