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Détails sur le produit:
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| Nom de produit: | Double commutateur de transistor MOSFET | modèle: | AP50N10D |
|---|---|---|---|
| Paquet: | TO-252 | Repérage: | AP50N10D XXX YYYY |
| Tension de VDSDrain-source: | 100V | Tension de rce de VGSGate-Sou: | ±20V |
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
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AP50N10D conjuguent transistor de puissance élevée du commutateur de transistor MOSFET/50A 100V TO-252
Doubles applications de commutateur de transistor MOSFET
Commutez les alimentations d'énergie de mode (SMPS)
Éclairage routier résidentiel, commercial, architectural et
Convertisseurs de DC-DC
Contrôle de moteur
Applications des véhicules à moteur
Double description de commutateur de transistor MOSFET :
La technologie avancée de fossé d'utilisations d'AP50N10D
pour fournir l'excellent RDS (DESSUS), la basse charge de porte et
opération avec des tensions de porte aussi basses que 4.5V.
Ce dispositif convient pour l'usage comme a
Protection de batterie ou dans l'autre application de commutation.
Doubles caractéristiques de commutateur de transistor MOSFET
VDS = 100V IDENTIFICATION =50A
LE RDS (DESSUS) < 25m="">
Inscription et information de commande de paquet
| Identité de produit | Paquet | Repérage | Quantité (PCS) |
| AP50N10D | TO-252 | AP50N10D XXX YYYY | 2500 |
Capacités absolues (comité technique =25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Limite | Unité |
| VDS | Tension de Drain-source | 100 | V |
| VGS | Tension de Porte-source | ±20 | V |
| Identification | Vidangez Actuel-continu | 50 | A |
| I (100℃) | Vidangez Actuel-continu (TC=100℃) | 21 | A |
| IDM | Courant pulsé de drain | 70 | A |
| Palladium | Dissipation de puissance maximum | 85 | W |
| Sous-sollicitation du facteur | 0,57 | W/℃ | |
| EAS | Énergie simple d'avalanche d'impulsion (note 5) | 256 | MJ |
| TJ, TSTG | Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | -55 à 175 | ℃ |
| RθJC | Résistance thermique, Jonction-à-cas (note 2) | 1,8 | ℃/W |
Caractéristiques électriques (comité technique =25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Condition | Minute | Type | Maximum | Unité |
| BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS=0V ID=250μA | 100 | - | V | |
| IDSS | Courant zéro de drain de tension de porte | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| IGSS | Courant de fuite de Porte-corps | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | VDS=VGS, μA ID=250 | 1 | 3 | V | |
| LE RDS (DESSUS) |
Sur-état de Drain-source Résistance |
VGS=10V, ID=20A | - | 24 | 28 | mΩ |
| LE RDS (DESSUS) |
Sur-état de Drain-source Résistance |
VGS=4.5V, ID=10A | - | 28 | 30 | mΩ |
| gFS | Transconductance en avant | VDS=5V, ID=10A | - | 15 | - | S |
| Clss | Capacité d'entrée | VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 2000 | - | PF |
| Coss | Capacité de sortie | - | 300 | - | PF | |
| Crss | Capacité inverse de transfert | - | 250 | - | PF | |
| le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | VDD=50V, RL=5Ω VGS=10V, RGEN=3Ω |
- | 7 | - | NS |
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r t |
Temps de montée d'ouverture | - | 7 | - | NS | |
| le TD () | Temps de retard d'arrêt | - | 29 | - | NS | |
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f t |
Temps d'arrêt d'automne | - | 7 | - | NS | |
| Qg | Charge totale de porte | VDS=50V, ID=10A, VGS=10V |
- | 39 | - | OR |
| Qgs | Charge de Porte-source | - | 8 | - | OR | |
| Qgd | Charge de Porte-drain | - | 12 | - | OR | |
| VSD | Tension en avant de diode (note 3) | VGS=0V, IS=20A | - | - | 1,2 | V |
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S I |
Courant en avant de diode (note 2) | - | - | - | 30 | A |
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rr t |
Temps de rétablissement inverse |
TJ = 25°C, SI = 10A di/dt = 100A/μs (Note3) |
- | 32 | - | NS |
| Qrr | Charge inverse de récupération | - | 53 | - | OR | |
| tonne | Temps d'ouverture en avant |
Le temps d'ouverture intrinsèque est négligeable (la mise en fonction est dominée par LS+LD) |
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Notes :
1, estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
2, apprêtent monté sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.
3, essai d'impulsion : Μs du ≤ 300 de durée d'impulsion, ≤ 2% de coefficient d'utilisation.
4, garanti par conception, pas sujet à la production
5, état d'EAS : Tj=25 ℃, VDD=50V, VG=10V, L=0.5mH, Rg=25Ω, IAS=32A
Attention
1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.
2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.
3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.
4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tâche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.
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8, l'intégralité d'information décrits ou contenus ci-dessus sont sujets au changement sans préavis dû au produit/à amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer.
Personne à contacter: David
