|
Détails sur le produit:
|
| Nom du produit: | transistor de puissance de transistor MOSFET | modèle: | AP50N10P |
|---|---|---|---|
| Paquet: | TO-220-3L | Repérage: | AP50P10P XXX YYYY |
| Tension de VDSDrain-source: | 100V | Tension de rce de VGSGate-Sou: | ±20V |
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
||
Commutez le transistor de puissance de transistor MOSFET des alimentations d'énergie de mode SMPS 50A 100V
Description de transistor de puissance de transistor MOSFET :
La technologie avancée de fossé d'utilisations d'AP50N10P
pour fournir l'excellent RDS (DESSUS), la basse charge de porte et
opération avec des tensions de porte aussi basses que 4.5V. Ceci
le dispositif convient pour l'usage comme a
Protection de batterie ou dans l'autre application de commutation.
Caractéristiques de transistor de puissance de transistor MOSFET
VDS = 100V IDENTIFICATION =50 A
LE RDS (DESSUS) < 22m="">
Inscription et information de commande de paquet
| Identité de produit | Paquet | Repérage | Quantité (PCS) |
| AP50P10P | TO-220-3L | AP50P10P XXX YYYY | 1000 |
Capacités absolues (TC=25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Évaluation | Unités |
| VDS | Tension de Drain-source | 100 | V |
| VGS | Tension de rce de porte-Sou | ±20 | V |
| ID@TC =25℃ | Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 | 50 | A |
| ℃ d'ID@TC =100 | Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 | 37 | A |
| IDM | Drain pulsé Current2 | 130 | A |
| EAS | Énergie simple 3 d'avalanche d'impulsion | 84 | MJ |
| IAS | Courant d'avalanche | 41 | A |
| ℃ de PD@TC =25 | Puissance totale Dissipation4 | 149 | W |
| TSTG | Température ambiante de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Température ambiante fonctionnante de jonction | -55 à 150 | ℃ |
| RθJA | Résistance thermique 1 Jonction-ambiant | 62 | ℃/W |
| RθJC | Jonction-cas 1 de résistance thermique | 0,84 | ℃/W |
Caractéristiques électriques (T J =25℃, sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minimal. | Type. | Maximum. | Unité |
| BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| LE RDS (DESSUS) | Sur-résistance statique de Drain-source | VGS=10V, I D=30A | --- | --- | 22 | mΩ |
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, I =250UA | 2,5 | --- | 4,5 | V |
|
IDSS |
Courant de fuite de Drain-source |
VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 |
uA |
| VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Courant de fuite de Porte-source | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | Na |
| gfs | Transconductance en avant | VDS=5V, ID=30A | --- | 31 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,9 | 3,8 | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (10V) | --- | 27,6 | --- | ||
| Qgs | Charge de Porte-source | --- | 11,4 | --- | ||
| Qgd | Charge de Porte-drain | --- | 7,9 | --- | ||
| Le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture |
VDD=50V, VGS=10V, |
--- | 16,5 | --- | |
| TR | Temps de montée | --- | 35 | --- | ||
| Le TD () | Temps de retard d'arrêt | --- | 17,5 | --- | ||
| Tf | Temps de chute | --- | 12 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | --- | 1890 | --- | ||
| Coss | Capacité de sortie | --- | 268 | --- | ||
| Crss | Capacité inverse de transfert | --- | 67 | --- | ||
| EST | Courant de source continu 1,5 |
VG=VD=0V, courant de force |
--- | --- | 58 | A |
| ISM | Courant de source pulsé 2,5 | --- | --- | 130 | A | |
| VSD | La diode expédient Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
| trr | Temps de rétablissement inverse |
IF=30A, dI/dt=100A/µs, |
--- | 22 | --- | NS |
| Qrr | Charge inverse de récupération | --- | 20 | --- | OR |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minimal. | Type. | Maximum. | Unité |
| BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| LE RDS (DESSUS) | Sur-résistance statique de Drain-source | VGS=10V, I D=30A | --- | --- | 22 | mΩ |
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, I =250UA | 2,5 | --- | 4,5 | V |
|
IDSS |
Courant de fuite de Drain-source |
VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 |
uA |
| VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Courant de fuite de Porte-source | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | Na |
| gfs | Transconductance en avant | VDS=5V, ID=30A | --- | 31 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,9 | 3,8 | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (10V) | --- | 27,6 | --- | ||
| Qgs | Charge de Porte-source | --- | 11,4 | --- | ||
| Qgd | Charge de Porte-drain | --- | 7,9 | --- | ||
| Le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture |
VDD=50V, VGS=10V, |
--- | 16,5 | --- | |
| TR | Temps de montée | --- | 35 | --- | ||
| Le TD () | Temps de retard d'arrêt | --- | 17,5 | --- | ||
| Tf | Temps de chute | --- | 12 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | --- | 1890 | --- | ||
| Coss | Capacité de sortie | --- | 268 | --- | ||
| Crss | Capacité inverse de transfert | --- | 67 | --- | ||
| EST | Courant de source continu 1,5 |
VG=VD=0V, courant de force |
--- | --- | 58 | A |
| ISM | Courant de source pulsé 2,5 | --- | --- | 130 | A | |
| VSD | La diode expédient Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
| trr | Temps de rétablissement inverse |
IF=30A, dI/dt=100A/µs, |
--- | 22 | --- | NS |
| Qrr | Charge inverse de récupération | --- | 20 | --- | OR |
Note :
les données 1.The ont examiné par la surface montée sur un conseil de 1 pouce FR-4 avec le cuivre 2OZ.
les données 2.The ont examiné par pulsé, le ≦ 300us, le ≦ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation
les données de 3.The EAS montrent l'estimation maximale. La condition d'essai est VDS=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS =41A
la dissipation de puissance 4.The est limitée par la température de jonction 150℃
les données 5.The sont théoriquement identique qu'IDand IDM, dans de vraies applications, devrait être limité par dissipation de puissance totale.
Attention
1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.
2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.
3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.
4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tâche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.
5, au cas où tout ou une partie de produits de la microélectronique d'APM (données techniques y compris, services) décrits ou contenus ci-dessus seraient commandés sous un quelconque de lois et de règlements de contrôle des exportations locales applicables, de tels produits ne doivent pas être exportés sans obtenir le permis d'exportation des autorités concernées selon la loi ci-dessus.
6, aucune partie de cette publication peuvent être reproduits ou transmis sous n'importe quelle forme ou par tous les moyens, électronique ou mécanique, y compris la photocopiage et l'enregistrement, ou n'importe quel système de stockage ou de récupération de l'information, ou autrement, sans autorisation écrite préalable du semi-conducteur Cie. de la microélectronique d'APM, Ltd.
7, l'information (schémas de circuit y compris et paramètres de circuit) est ci-dessus par exemple seulement ; on ne le garantit pas pour la production de masse. La microélectronique d'APM croit que l'information ci-dessus est précise et fiable, mais aucune garantie n'est faite ou est impliquée concernant son utilisation ou toutes les infractions à des droits de propriété intellectuelle ou à d'autres droits des tiers.
8, l'intégralité d'information décrits ou contenus ci-dessus sont sujets au changement sans préavis dû au produit/à amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer.
Personne à contacter: David
