Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Haut transistor de puissance de transistor MOSFET de densité de cellules pour le petit contrôle de moteur

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Haut transistor de puissance de transistor MOSFET de densité de cellules pour le petit contrôle de moteur

Haut transistor de puissance de transistor MOSFET de densité de cellules pour le petit contrôle de moteur
Haut transistor de puissance de transistor MOSFET de densité de cellules pour le petit contrôle de moteur Haut transistor de puissance de transistor MOSFET de densité de cellules pour le petit contrôle de moteur

Image Grand :  Haut transistor de puissance de transistor MOSFET de densité de cellules pour le petit contrôle de moteur

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: AP8205A
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Haut transistor de puissance de transistor MOSFET de densité de cellules pour le petit contrôle de moteur

description de
Nom de produit: Transistor de puissance de transistor MOSFET modèle: AP8205A
Paquet: TSSOP-8 Repérage: 8205A
Tension de VDSDrain-source: 20V Tension de rce de VGSGate-Sou: ±12V
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

Haut transistor de puissance de transistor MOSFET de densité de cellules pour le petit contrôle de moteur

 

Description de transistor de puissance de transistor MOSFET :

 

L'AP8205A est le fossé de la plus haute performance
transistors MOSFET N-ch avec la densité élevée extrême de cellules,
ce qui fournissent excellent RDSON et déclenchent la charge
pour la majeure partie de la petite commutation de puissance et
applications de commutateur de charge. Le rassemblement le RoHS et
Condition de produit avec la pleine fiabilité de fonction approuvée.

 

 

Caractéristiques de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

VDS = 20V IDENTIFICATION = 6A
LE RDS (DESSUS) < 27m=""> LE RDS (DESSUS) <37m>

 

Application de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

Protection de batterie
Alimentation d'énergie non interruptible

 

Inscription et information de commande de paquet

 

Identité de produit Paquet Repérage Quantité (PCS)
AP8205A TSSOP-8 8205A 5000

 

Capacités absolues (TA=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)

 

Paramètre Symbole Limite Unité
Tension de Drain-source VDS 20 V
Tension de Porte-source VGS ±12 V
Vidangez Actuel-continu Identification 6 A
Vidangez Actuel-pulsé (note 1) IDM 25 A
Dissipation de puissance maximum Palladium 1,5 W
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage TJ, TSTG -55 à 150
Résistance thermique, Jonction-à-ambiante (note 2) RθJA 83 ℃/W

 

Caractéristiques électriques (MERCI=25 sauf indication contraire)

 

Paramètre Symbole Condition Minute Type Maximum Unité
Tension claque de Drain-source BVDSS VGS=0V ID=250μA 20 21 - V
Courant zéro de drain de tension de porte IDSS VDS=19.5V, V GS=0V - - 1 μA
Courant de fuite de Porte-corps IGSS VGS=±10V, VDS=0V - - ±100 Na
Tension de seuil de porte VGS (Th) VDS=VGS, ID=250μA 0,5 0,7 1,2 V

 

Résistance de Sur-état de Drain-source

 

LE RDS (DESSUS)

VGS=4.5V, ID=4.5A - 21 27 mΩ
VGS=2.5V, ID=3.5A - 27 37 mΩ
Transconductance en avant gFS VDS=5V, ID=4.5A - 10 - S
Capacité d'entrée Clss   - 600 - PF
Capacité de sortie Coss - 330 - PF
Capacité inverse de transfert Crss - 140 - PF
Temps de retard d'ouverture le TD (dessus)   - 10 20 NS
Temps de montée d'ouverture

r

t

- 11 25 NS
Temps de retard d'arrêt le TD () - 35 70 NS
Temps d'arrêt d'automne

f

t

- 30 60 NS
Charge totale de porte Qg

 

VDS=10V, ID=6A,

- 10 15 OR
Charge de Porte-source Qgs - 2,3 - OR
Charge de Porte-drain Qgd - 1,5 - OR
Tension en avant de diode (note 3) VSD VGS=0V, IS=1.7A - 0,75 1,2 V
Courant en avant de diode (note 2)

S

I

  - - 1,7 A
Paramètre Symbole Condition Minute Type Maximum Unité
Tension claque de Drain-source BVDSS VGS=0V ID=250μA 20 21 - V
Courant zéro de drain de tension de porte IDSS VDS=19.5V, V GS=0V - - 1 μA
Courant de fuite de Porte-corps IGSS VGS=±10V, VDS=0V - - ±100 Na
Tension de seuil de porte VGS (Th) VDS=VGS, ID=250μA 0,5 0,7 1,2 V

 

Résistance de Sur-état de Drain-source

 

LE RDS (DESSUS)

VGS=4.5V, ID=4.5A - 21 27 mΩ
VGS=2.5V, ID=3.5A - 27 37 mΩ
Transconductance en avant gFS VDS=5V, ID=4.5A - 10 - S
Capacité d'entrée Clss   - 600 - PF
Capacité de sortie Coss - 330 - PF
Capacité inverse de transfert Crss - 140 - PF
Temps de retard d'ouverture le TD (dessus)   - 10 20 NS
Temps de montée d'ouverture

r

t

- 11 25 NS
Temps de retard d'arrêt le TD () - 35 70 NS
Temps d'arrêt d'automne

f

t

- 30 60 NS
Charge totale de porte Qg

 

VDS=10V, ID=6A,

- 10 15 OR
Charge de Porte-source Qgs - 2,3 - OR
Charge de Porte-drain Qgd - 1,5 - OR
Tension en avant de diode (note 3) VSD VGS=0V, IS=1.7A - 0,75 1,2 V
Courant en avant de diode (note 2)

S

I

  - - 1,7 A

 

Notes :

 

1. estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum. 2. surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.

3. Essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.

4. Garanti par conception, pas sujet à la production

 

Attention

 

1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.

2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.

3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.

4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tâche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.

5, au cas où tout ou une partie de produits de la microélectronique d'APM (données techniques y compris, services) décrits ou contenus ci-dessus seraient commandés sous un quelconque de lois et de règlements de contrôle des exportations locales applicables, de tels produits ne doivent pas être exportés sans obtenir le permis d'exportation des autorités concernées selon la loi ci-dessus.

6, aucune partie de cette publication peuvent être reproduits ou transmis sous n'importe quelle forme ou par tous les moyens, électronique ou mécanique, y compris la photocopiage et l'enregistrement, ou n'importe quel système de stockage ou de récupération de l'information, ou autrement, sans autorisation écrite préalable du semi-conducteur Cie. de la microélectronique d'APM, Ltd.

7, l'information (schémas de circuit y compris et paramètres de circuit) est ci-dessus par exemple seulement ; on ne le garantit pas pour la production de masse. La microélectronique d'APM croit que l'information ci-dessus est précise et fiable, mais aucune garantie n'est faite ou est impliquée concernant son utilisation ou toutes les infractions à des droits de propriété intellectuelle ou à d'autres droits des tiers.

8, l'intégralité d'information décrits ou contenus ci-dessus sont sujets au changement sans préavis dû au produit/à amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer.

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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