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Détails sur le produit:
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| Type: | Transistor à effet de champ | Nom de produit: | AP6982GN2-HF |
|---|---|---|---|
| Qualité: | original | Application: | Appareils ménagers |
| Logo: | adapté aux besoins du client | Vth :: | 0.7V |
| Surligner: | module de transistor MOSFET du transistor 2.4W,module de transistor MOSFET du transistor 10mr,Transistor à effet de champ d'AP6982GN2-HF |
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Alternative de transistor MOSFET de transistor de G2012 20V 12A 10mr pour AP6982GN2-HF
Description :
Les séries AP6982 sont de puissance avancée ont innové conception et
technologie transformatrice de silicium pour réaliser le plus bas possible dessus ? résistance et représentation de changement rapide. Elle fournit
concepteur avec un dispositif efficace extrême pour l'usage dans un large
gamme des applications de puissance.
Ratings@Tj maximum absolu =25o.C (sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Estimation | Unités |
| VDS | Tension de Drain-source | 20 | V |
| VGS | Tension de Porte-source | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Drain continu3 @ VGS actuels =4.5V | 11 | |
| ID@TA =70℃ | Drain continu3 @ VGS actuels =4.5V | 8,7 | |
| IDM | Courant pulsé1de drain | 40 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipation de puissance totale3 | 2,4 | W |
| TSTG | Température ambiante de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Température ambiante fonctionnante de jonction | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| Rthj-a | Résistance thermique maximum,3Jonction-ambiants | 52 | ℃/W |
Characteristics@Tj électrique =25oC (sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Mn. | Type. | Maximum. | Unités |
| BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA | 20 | - | - | V |
| LE RDS (DESSUS) | Sur-résistance statique2de Drain-source | VGS =4.5V, IDENTIFICATION =10A | - | 9,3 | 12,5 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICATION =5A | - | 11,3 | 16 | mΩ | ||
| VGS =1.8V, IDENTIFICATION =2A | - | 15 | 21 | mΩ | ||
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA | 0,3 | 0,5 | 1 | V |
| gfs | Transconductance en avant | VDS =5V, IDENTIFICATION =10A | - | 34 | - | S |
| IDSS | Courant de fuite de Drain-source | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | uA |
| IGSS | Fuite de Porte-source | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
| Qg | Charge totale de porte |
Identification =10A VDS =10V VGS =4.5V |
- | 22 | 35,2 | OR |
| Qgs | Charge de Porte-source | - | 2,5 | - | OR | |
| Qgd | Charge de Porte-drain (« Miller ») | - | 7 | - | OR | |
| le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | VDS =10V | - | 9 | - | NS |
| TR | Temps de montée | Identification =1A | - | 13 | - | NS |
| le TD () | Temps de retard d'arrêt | RG =3.3Ω | - | 40 | - | NS |
| tf | Temps de chute | VGS =5V | - | 10 | - | NS |
| Ciss | Capacité d'entrée |
VGS =0V VDS =10V f=1.0MHz |
- | 1500 | 2400 | PF |
| Coss | Capacité de sortie | - | 170 | - | PF | |
| Crss | Capacité inverse de transfert | - | 155 | - | PF | |
| Rg | Résistance de porte | f=1.0MHz | - | 2 | 4 | Ω |
Diode de Source-drain
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Mn. | Type. | Maximum. | Unités |
| VSD | Expédiez sur la tension2 | EST =2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Temps de rétablissement inverse |
EST =10A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 11 | - | NS |
| Qrr | Charge inverse de récupération | - | 5 | - | OR |
Notes :
Ce produit est sensible à la décharge électrostatique, manipulent svp avec soin.
Ce produit n'est pas autorisé pour être employé comme composant critique d'un système d'assistance vitale ou d'autres systèmes semblables.
L'APEC ne sera pas responsable d'aucune responsabilité résultant de l'application ou l'utilisation de n'importe quel produit ou circuit a décrit dans cet accord, ni elle assignera n'importe quel permis sous ses propriétés industrielles ou attribuera les droits d'autres.
L'APEC se réserve le droit d'apporter des modifications à n'importe quel produit dans cet accord sans préavis d'améliorer la fiabilité, la fonction ou la conception.
Personne à contacter: David
