Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Commutateur électrique de transistor MOSFET d'ICS 0.833W 10A de LOGIQUE d'AP2322GN

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

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Commutateur électrique de transistor MOSFET d'ICS 0.833W 10A de LOGIQUE d'AP2322GN

Commutateur électrique de transistor MOSFET d'ICS 0.833W 10A de LOGIQUE d'AP2322GN
Commutateur électrique de transistor MOSFET d'ICS 0.833W 10A de LOGIQUE d'AP2322GN

Image Grand :  Commutateur électrique de transistor MOSFET d'ICS 0.833W 10A de LOGIQUE d'AP2322GN

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: AP2322GN
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: Négociable
Prix: Negotiate
Détails d'emballage: BOÎTE DE CARTON
Délai de livraison: semaine 4~5
Conditions de paiement: L/C T/T WESTERN UNION
Capacité d'approvisionnement: 10,000/Month

Commutateur électrique de transistor MOSFET d'ICS 0.833W 10A de LOGIQUE d'AP2322GN

description de
Number modèle :: AP2322GN Marque :: original
État :: Nouveau original Type :: LOGIQUE ICS
Délai d'exécution: En stock D/C :: Le plus nouveau
Surligner:

commutateur électrique du transistor MOSFET 10A

,

commutateur électrique du transistor MOSFET 0.833W

,

Transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP2322GN

Le commutateur d'usage universel original IC de la puissance Transistor/MOSFET/Power d'AP2322GN ébrèche

 

Ce produit est sensible à la décharge électrostatique, manipulent svp avec soin.

 

Ce produit n'est pas autorisé pour être employé comme composant critique d'un système d'assistance vitale ou d'autres systèmes semblables.

 

L'APEC ne sera pas responsable d'aucune responsabilité résultant de l'application ou l'utilisation de n'importe quel produit ou circuit a décrit dans cet accord, ni elle assignera n'importe quel permis sous ses propriétés industrielles ou attribuera les droits d'autres.

 

L'APEC se réserve le droit d'apporter des modifications à n'importe quel produit dans cet accord sans préavis d'améliorer la fiabilité, la fonction ou la conception.

 

Description

 

Les transistors MOSFET avancés de puissance ont utilisé des techniques de traitement avancées pour réaliser la plus basse possible sur-résistance, extrêmement efficace et le dispositif de rentabilité.

Le paquet de SOT-23S est largement préféré pour des applications extérieures commercial-industrielles de bâti et approprié aux applications de basse tension telles que des convertisseurs de DC/DC.

 

Ratings@Tj maximum absolu =25oC (sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Estimation Unités
VDS Tension de Drain-source 20 V
VGS Tension de Porte-source +8 V
ID@TA =25℃ Vidangez le courant3, VGS @ 4.5V 2,5
ID@TA =70℃ Vidangez le courant3, VGS @ 4.5V 2,0
IDM Courant pulsé1de drain 10
PD@TA =25℃ Dissipation de puissance totale 0,833 W
TSTG Température ambiante de température de stockage -55 à 150
TJ Température ambiante fonctionnante de jonction -55 à 150

 

Données thermiques

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
Rthj-a Résistance thermique maximum,3Jonction-ambiants 150 ℃/W

 

AP2322G

 

Characteristics@Tj électrique =25oC (sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Conditions d'essai Mn. Type. Maximum. Unités
BVDSS Tension claque de Drain-source VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA 20 - - V
LE RDS (DESSUS) Sur-résistance statique2de Drain-source VGS =4.5V, IDENTIFICATION =1.6A - - 90 mΩ
VGS =2.5V, IDENTIFICATION =1A - - 120 mΩ
VGS =1.8V, IDENTIFICATION =0.3A - - 150 mΩ
VGS (Th) Tension de seuil de porte VDS =VGS, IDENTIFICATION =1MA 0,25 - 1 V
gfs Transconductance en avant VDS =5V, IDENTIFICATION =2A - 2 - S
IDSS Courant de fuite de Drain-source VDS =20V, VGS =0V - - 1 uA
IGSS Fuite de Porte-source VGS =+8V, VDS =0V - - +100 Na
Qg Charge totale de porte

Identification =2.2A

VDS =16V VGS =4.5V

- 7 11 OR
Qgs Charge de Porte-source - 0,7 - OR
Qgd Charge de Porte-drain (« Miller ») - 2,5 - OR
le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture

IDENTIFICATION =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V

VGS =5V

- 6 - NS
TR Temps de montée - 12 - NS
le TD () Temps de retard d'arrêt - 16 - NS
tf Temps de chute - 4 - NS
Ciss Capacité d'entrée

V.GS=0V VDS =20V

f=1.0MHz

- 350 560 PF
Coss Capacité de sortie - 55 - PF
Crss Capacité inverse de transfert - 48 - PF
Rg Résistance de porte f=1.0MHz - 3,2 4,8 Ω

 

Diode de Source-drain

 

Symbole Paramètre Conditions d'essai Mn. Type. Maximum. Unités
VSD Expédiez sur la tension2 EST =0.7A, VGS =0V - - 1,2 V
trr Temps de rétablissement inverse

EST =2A, VGS =0V,

dI/dt=100A/µs

- 20 - NS
Qrr Charge inverse de récupération - 13 - OR

 

Notes :

 

largeur 1.Pulse limitée par la température de jonction maximale.

essai 2.Pulse

3.Surface a monté sur 1 dansla protection2 de cuivre FR4 du panneau, t<> 10sec ; 360 ℃/W une fois monté sur la protection d'en cuivre de mn.

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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