Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor de puissance de transistor MOSFET de l'inducteur 0.35W 2.5A de LED AP1332GEU-HF

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Transistor de puissance de transistor MOSFET de l'inducteur 0.35W 2.5A de LED AP1332GEU-HF

Transistor de puissance de transistor MOSFET de l'inducteur 0.35W 2.5A de LED AP1332GEU-HF
Transistor de puissance de transistor MOSFET de l'inducteur 0.35W 2.5A de LED AP1332GEU-HF

Image Grand :  Transistor de puissance de transistor MOSFET de l'inducteur 0.35W 2.5A de LED AP1332GEU-HF

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: AP1332GEU-HF
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: Négociable
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 30000pcs/week

Transistor de puissance de transistor MOSFET de l'inducteur 0.35W 2.5A de LED AP1332GEU-HF

description de
Number modèle :: AP1332GEU-HF Type :: Composants électroniques
Diode :: Transistor Module d'IGBT :: Tube à haute fréquence
Inducteur :: LED D/C :: Le plus nouveau
Surligner:

transistor de puissance du transistor MOSFET 2.5A

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transistor de puissance du transistor MOSFET 0.35W

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Transistor de transistor MOSFET de diode d'AP1332GEU-HF

Le prix usine bon marché AP1332GEU-HF entrent en contact avec svp les affaires, a lieu le même jour régnera

 

Description

 

Les séries AP1332 sont de puissance avancée ont innové conception et technologie transformatrice de silicium de réaliser le plus bas possible sur la résistance et la représentation de changement rapide. Il fournit au concepteur un dispositif efficace extrême pour l'usage dans un large éventail d'applications de puissance.

 

Notes :

 

largeur 1.Pulse limitée par la température de jonction maximale.

essai 2.Pulse.

3.Surface a monté sur FR4 le panneau, sec du ≦ 10 de t.

 

Ratings@Tj maximum absolu =25.oC (sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Estimation Unité
VDS Tension de Drain-source 20 V
VGS Tension de Porte-source +8 V
ID@TA =25℃ Vidangez le courant3, VGS @ 4.5V 600 mA
ID@TA =70℃ Vidangez le courant3, VGS @ 4.5V 470 mA
IDM Courant pulsé1de drain 2,5
PD@TA =25℃ Dissipation de puissance totale 0,35 W
TSTG Température ambiante de température de stockage -55 à 150
TJ Température ambiante fonctionnante de jonction -55 à 150

 

Données thermiques

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
Rthj-a Résistance thermique maximum,3Jonction-ambiants 360 ℃/W

 

AP1332GEU-H

Characteristics@Tj électrique =25oC (sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Conditions d'essai Mn. Type. Maximum. Unité
BVDSS Tension claque de Drain-source VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA 20 - - V
LE RDS (DESSUS) Sur-résistance statique2de Drain-source VGS =4.5V, IDENTIFICATION =600MA - - 0,6 Ω
VGS =2.5V, IDENTIFICATION =300MA - - 2 Ω
VGS (Th) Tension de seuil de porte VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA 0,5 - 1,25 V
gfs Transconductance en avant VDS =5V, IDENTIFICATION =600MA - 1 - S
IDSS Courant de fuite de Drain-source VDS =16V, VGS =0V - - 10 uA
IGSS Fuite de Porte-source VGS =+8V, VDS =0V - - +30 uA
Qg Charge totale de porte

IDENTIFICATION =600MA VDS =16V

VGS =4.5V

- 1,3 2 OR
Qgs Charge de Porte-source - 0,3 - OR
Qgd Charge de Porte-drain (« Miller ») - 0,5 - OR
le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture

IDENTIFICATION =600MA RG =3.3Ω DE VDS =10V

VGS =5V

- 21 - NS
TR Temps de montée - 53 - NS
le TD () Temps de retard d'arrêt - 100 - NS
tf Temps de chute - 125 - NS
Ciss Capacité d'entrée

VGS =0V

V.DS=10V f=1.0MHz

- 38 60 PF
Coss Capacité de sortie - 17 - PF
Crss Capacité inverse de transfert - 12 - PF

 

Diode de Source-drain

 

Symbole Paramètre Conditions d'essai Mn. Type. Maximum. Unité
VSD Expédiez sur la tension2 EST =300MA, VGS =0V - - 1,2 V

 

[Expédition]


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