Chine Transistor MOSFET à canal double

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  Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m

  Type:diode de redresseur rapide de récupération

  D'entité:Pour la surface applications montées

  Polarité:La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode

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  RS2A PAR RS2M conjuguent le transistor MOSFET de puissance, transistor MOSFET de haute tension 0,002 onces les grammes Grams0.07 de 0,002 onces 0,07

  Type:diode de redresseur rapide de récupération

  D'entité:Classification 94V-0 d'inflammabilité

  Position de montage:tout

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  RS3A PAR les secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de RS3M sur des terminaux

  Type:diode de redresseur rapide de récupération

  D'entité:250 secondes C/10 sur des terminaux

  Terminaux:Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,

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  FR301 PAR le transistor MOSFET de mode de l'amélioration FR307, transistor MOSFET à haute tension de puissance

  Type:COMMUTATION DIODESOD

  D'entité:Basse fuite inverse

  Terminaux:Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,

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  FR301 PAR le transistor MOSFET FR307 à canal double expédient le courant - 3,0 ampères

  Type:COMMUTATION DIODESOD

  D'entité:Basse fuite inverse

  Terminaux:Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,

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  FR601 PAR le transistor MOSFET de la haute fréquence FR607 expédient le courant - 6,0 ampères

  Type:COMMUTATION DIODESOD

  Position de montage:Capacité élevée de courant de montée subite en avant

  Poids:0.072ounce, 2.05grams

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  MBR1030,35,40,45,50 diodes encapsulées par plastique à canal double du transistor MOSFET TO-220A

  Type:Puce de barrière de Schottky

  D'entité:Perte de puissance faible, rendement élevé

  Tension de blocage de C.C:30-50V

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  Tension de blocage à forte intensité de C.C du transistor MOSFET TO-220-3L 30-50v de MBR1030CT

  Type:Puce de barrière de Schottky

  D'entité:Capacité de crête élevée

  Tension de blocage de C.C:30-50V

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  FS1A PAR la tension inverse à canal double de transistor MOSFET de FS1M - 50 à 1000 volts

  Type:COMMUTATION DIODESOD

  D'entité:Basse fuite inverse

  Polarité:La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode

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  FS2A PAR le transistor MOSFET à canal double de FS2M expédient à courant -2,0 ampères

  Type:COMMUTATION DIODESOD

  D'entité:Capacité élevée de courant de montée subite en avant

  Terminaux:Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,

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