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Utilisation industrielle basse de la tension 5V d'émetteur de triode du semi-conducteur TIP111

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Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

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Utilisation industrielle basse de la tension 5V d'émetteur de triode du semi-conducteur TIP111

Utilisation industrielle basse de la tension 5V d'émetteur de triode du semi-conducteur TIP111
Utilisation industrielle basse de la tension 5V d'émetteur de triode du semi-conducteur TIP111

Image Grand :  Utilisation industrielle basse de la tension 5V d'émetteur de triode du semi-conducteur TIP111

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: TIP111
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Utilisation industrielle basse de la tension 5V d'émetteur de triode du semi-conducteur TIP111

description de
Surligner:

triode de composants électroniques

,

commutateur de semi-conducteur

TO-220-3L Plastique-encapsulent des transistors

 

TRANSISTOR DE TIP41/41A/41B/41C (NPN)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
  • Gain actuel élevé de C.C : hFE=1000 @ VCE=4V, IC=1A (minimal)
  • Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
  • Utilisation industrielle
 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 80 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 80 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 5 V
IC Courant de collecteur - continu 2 A
PC Dissipation de collecteur 2 W
TJ La température de jonction 150 ℃
Tstg Température de stockage -55 à +150 ℃

 

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=10mA, C.-À-D. =0 80     V
Tension soutenante de collecteur-émetteur VCEO (sus) IC=30mA, IB=0 80     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. =10MA, IC=0 5     V
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE=40V, IB=0     2 mA
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=80V, C.-À-D. =0     1 mA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=5V, IC=0     2 mA

 

Gain actuel de C.C

 hFE (1) VCE=4V, IC=1A 1000      
hFE (2) VCE=4V, IC=2A 500      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=2A, IB=8mA     2,5 V
Tension d'émetteur de base VBE VCE=4V, IC=2A     2,8 V
Capacité de sortie de collecteur Épi VCB=10V, C.-À-D. =0, f=0.1MHz     100 PF

 

 

Dimensions d'ensemble de paquet de TO-220-3L

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TYPE 0,100 TYPES
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

TO-220-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors TIP42/42A/42B/42C (PNP)

 

 


 

Produit Tag:

commutateur de semi-conducteur,

triode de composants électroniques,

triode d'usage universel

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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