Aperçu ProduitsTransistor de puissance de silicium

2N5401 transistor de la puissance élevée PNP VCBO -160V pour les composants électroniques

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

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—— -- Виктор de Russie

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2N5401 transistor de la puissance élevée PNP VCBO -160V pour les composants électroniques

2N5401 transistor de la puissance élevée PNP VCBO -160V pour les composants électroniques
2N5401 transistor de la puissance élevée PNP VCBO -160V pour les composants électroniques

Image Grand :  2N5401 transistor de la puissance élevée PNP VCBO -160V pour les composants électroniques

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 2N5401
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

2N5401 transistor de la puissance élevée PNP VCBO -160V pour les composants électroniques

description de
VCBO: -160V VCEO: -150V
VEBO: -5V Utilisation: Composants électroniques
TJ: 150Š Affaire: Bande/plateau/bobine
Surligner:

transistor à haute fréquence

,

transistor de commutateur électrique

TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 2N5401 (PNP)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 

 

Commutation et amplification de Ÿ dans la haute tension

Applications de Ÿ telles que la téléphonie

Ÿ à faible intensité

Haute tension de Ÿ

 

 

2N5401 transistor de la puissance élevée PNP VCBO -160V pour les composants électroniques 0

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
2N5401 TO-92 Le volume 1000pcs/Bag
2N5401-TA TO-92 Bande 2000pcs/Box

 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base -160 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur -150 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -5 V
IC Courant de collecteur -0,6 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 625 mW
R0 JA Résistance thermique de jonction à ambiant 200 Š/W
Tj La température de jonction 150 Š
Tstg Température de stockage -55~+150 Š

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire

 

 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC= -0.1MA, C.-À-D. =0 -160     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC=-1mA, IB=0 -150     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. =-0.01MA, IC=0 -5     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=-120V, C.-À-D. =0     -50 Na
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=-3V, IC=0     -50 Na

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE=-5V, IC=-1mA 80      
hFE (2) VCE=-5V, IC=-10mA 100   300  
hFE (3) VCE=-5V, IC=-50mA 50      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=-50mA, IB=-5mA     -0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC=-50mA, IB=-5mA     -1 V
Fréquence de transition fT VCE=-5V, IC=-10mA, f =30MHz 100   300 Mégahertz

 
  

CLASSIFICATION DEFede h(2)

RANG A B C
GAMME 100-150 150-200 200-300

 

 

 

 

Caractéristiques typiques

 

 


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 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TYPE 0,050 TYPES
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 


TO-92 7DSH DQG 5HHO

 

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