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Détails sur le produit:
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| Identité de produit: | BAV16W/1N4148W | D'entité: | Temps de rétablissement inverse rapide |
|---|---|---|---|
| Type: | COMMUTATION DIODESOD | VR (RMS): | 71V |
| RθJA: | 250mW | Tstg: | -55~+150 |
| Surligner: | diode de commutation à haute tension,double diode de commutation de série |
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La diode de commutation 1SS184 BAV16W/1N4148W JEÛNENT DIODE de COMMUTATION
Ÿ jeûnent vitesse de commutation
Paquet de bâti de surface de Ÿ dans le meilleur des cas adapté à l'insertion automatique
Ÿ pour des applications d'usage universel de commutation
Conductibilité élevée de Ÿ
REPÉRAGE : T6, T4
| 1N4148W | BAV16W |
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T4
T4 |
T6
T6 |
La barre d'inscription indique la cathode
Point solide = vert moulant le dispositif composé, si aucun, le dispositif normal.
Estimations maximum et caractéristiques électriques, diode simple @Ta=25℃
| Paramètre | Symbole | Limite | Unité |
| Tension inverse maximale non répétitive | VRM | 100 | V |
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Tension inverse maximale répétitive maximale fonctionnant la tension inverse maximale Tension de blocage de C.C |
VRRM VRWM VR |
100 |
V |
| Tension inverse de RMS | VR (RMS) | 71 | V |
| Courant continu en avant | IFM | 300 | mA |
| La moyenne a rectifié le courant de sortie | IO | 150 | mA |
| Courant de montée subite en avant maximal non répétitif @t=8.3ms | IFSM | 2,0 | A |
| Dissipation de puissance 1N4148W BAV16W |
Palladium |
350 400 |
mW |
| Résistance thermique de jonction à ambiant (note 1) | RθJA | 250 |
℃/W |
| La température de jonction | Tj | 150 | ℃ |
| Température de stockage | TSTG | -55~+150 | ℃ |
Note 1 : Le dispositif a monté sur 1" » carte PCB de FR4 x1, cuivre du simple-side 1oz.
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Estimations électriques @Ta=25℃
| Paramètre | Symbole | Minute | Type | Maximum | Unité | Conditions |
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Tension en avant |
VF1 | 0,715 | V | IF=1mA | ||
| VF2 | 0,855 | V | IF=10mA | |||
| VF3 | 1,0 | V | IF=50mA | |||
| VF4 | 1,25 | V | IF=150mA | |||
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Courant inverse |
IR1 | 1 | μA | VR=75V | ||
| IR2 | 25 | Na | VR=20V | |||
| Capacité entre les terminaux | CT | 2 | PF | VR=0V, f=1MHz | ||
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Temps de rétablissement inverse |
trr |
4 |
NS |
IF=IR=10mA Irr=0.1XIR, RL=100Ω |
Personne à contacter: David
