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Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P
Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P

Image Grand :  Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 20G04S
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET Type: Transistor de transistor MOSFET
Identité de produit: 20G04S VDS: 40V
Caractéristiques: Paquet extérieur de bâti VGS: ±20V
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de 20G04S 40V N+P-Channel

 

Description

Le fossé avancé des utilisations 20G04S

technologie pour fournir excellent RDS(DESSUS) et basse charge de porte.

Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés pour former a

le niveau a décalé le commutateur latéral élevé, et pour un centre serveur d'autre

applications

 

Caractéristiques générales

N-canal

VDS =40V, ID =20A

RDS(DESSUS)< 35m=""> GS=10V

RDS(DESSUS)< 42m=""> GS=4.5V

P-canal

VDS =-40V, ID = -18A

RDS(DESSUS)<40m> GS=-10V

RDS(DESSUS)< 70m=""> GS=-4.5V

Puissance élevée et capacité de remise actuelle

Le produit sans plomb est acquis

Paquet extérieur de bâti

 

Application

Application de commutation de puissance de ●

Circuits dur commutés et à haute fréquence de ●

Alimentation d'énergie non interruptible de ●

 

 

Inscription et information de commande de paquet

 

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 0

Capacités absolues (TC=25℃ sauf indication contraire)
 
Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 1
Caractéristiques électriques de N-CH (TA=25℃ sauf indication contraire)

 

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 2

 

 

Caractéristiques électriques de P-CH (TA=25℃ sauf indication contraire)
 
Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 3
 
Notes :
1. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
2. Surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. Essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
4. Garanti par conception, pas sujet à la production
 
Caractéristiques typiques de N-canal
 
Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 4Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 5Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 6Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 7Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 8Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 9
Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 10
 
 
 
 
Caractéristiques typiques de P-canal
 
Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 11Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 12Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 13Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 14Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 15Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P 16
 
 

Produit Tag:

transistor à haute tension,

transistor de transistor MOSFET de canal de n,

commutateur à forte intensité de transistor MOSFET

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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À propos

transistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor de niveau de la logique HXY4616, transistor MOSFET complémentaire à haute tension du transistor 30V

Haute tension VDS 40V VGS ±20v du transistor de puissance du transistor MOSFET HXY4616 ±20v VGS

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