Détails sur le produit:
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D'entité: | Basse fuite | Transistor de transistor MOSFET de puissance: | SOT-23 Plastique-encapsulent des transistors |
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Identité de produit: | MMBT4403 | Type: | COMMUTATION DIODESOD |
Surligner: | transistor à haute fréquence,transistors de transistor MOSFET de puissance |
SOT-23 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors MMBT4403 (NPN)
Transistor de commutation
ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
VCBO | Tension de collecteur-base | -40 | V |
VCEO | Tension de collecteur-émetteur | -40 | V |
VEBO | Tension d'Émetteur-base | -5 | V |
IC | Courant de collecteur | -600 | mA |
PC | Dissipation de puissance de collecteur | 300 | mW |
RΘJA | Résistance thermique de jonction à ambiant | 417 | ℃/W |
Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
Tstg | Température de stockage | -55~+150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=-100μA, C.-À-D. =0 | -40 | V | ||
Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC=-1mA, IB=0 | -40 | V | ||
tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.-À-D. =-100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB=-35V, C.-À-D. =0 | -0,1 | μA | ||
Courant de coupure de collecteur | ICEX | VCE=-35V, VBE=0.4V | -0,1 | μA | ||
Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=-4V, IC=0 | -0,1 | μA | ||
Gain actuel de C.C |
hFE1 | VCE=-1V, IC=-0.1mA | 30 | |||
hFE2 | VCE=-1V, IC=-1mA | 60 | ||||
hFE3 | VCE=-1V, IC=-10mA | 100 | ||||
hFE4 | VCE=-2V, IC=-150mA | 100 | 300 | |||
hFE5 | VCE=-2V, IC=-500mA | 20 | ||||
Tension de saturation de collecteur-émetteur |
VCE (reposé) |
IC=-150mA, IB=-15mA | -0,4 | V | ||
IC=-500mA, IB=-50mA | -0,75 | V | ||||
Tension de saturation d'émetteur de base |
VBE (reposé) |
IC=-150mA, IB=-15mA | -0,95 | V | ||
IC=-500mA, IB=-50mA | -1,3 | V | ||||
Fréquence de transition | fT | VCE=-10V, IC=-20mA, f =100MHz | 200 | Mégahertz | ||
Temps de retard | td |
VCC=-30V, VBE () =-0.5V IC=-150mA, IB1=-15mA |
15 | NS | ||
Temps de montée | tr | 20 | NS | |||
Temps d'entreposage | ts |
VCC=-30V, IC=-150mA IB1=IB2=-15mA |
225 | NS | ||
Temps de chute | tf | 60 | NS |
Characterisitics typique
Dimensions d'ensemble de paquet
Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
e | 0,950 TYPES | 0,037 TYPES | ||
e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
L | 0,550 RÉFÉRENCES | 0,022 RÉFÉRENCES | ||
L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Personne à contacter: David