Aperçu ProduitsTransistor de puissance de silicium

Courant de collecteur matériel de silicium de transistor de puissance du silicium 2SD965A 600 mA

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
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Courant de collecteur matériel de silicium de transistor de puissance du silicium 2SD965A 600 mA

Courant de collecteur matériel de silicium de transistor de puissance du silicium 2SD965A 600 mA
Courant de collecteur matériel de silicium de transistor de puissance du silicium 2SD965A 600 mA

Image Grand :  Courant de collecteur matériel de silicium de transistor de puissance du silicium 2SD965A 600 mA

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 2SD965A
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Courant de collecteur matériel de silicium de transistor de puissance du silicium 2SD965A 600 mA

description de
Tension de collecteur-base: 40V Courant de collecteur - continu: 5A
Tstg: -55~+150℃ Matériau: de silicium
Courant de collecteur: 600 mA La température de stockage: -55~+150℃
Surligner:

transistor à haute fréquence

,

transistor de commutateur électrique

SOT-89-3L Plastique-encapsulent les transistors 2SD965A 2SD965A

 

 

CARACTÉRISTIQUE
  • Amplificateur audio
  • Unité instantanée de caméra
  • Circuit de commutation

 

Repérage : D965A

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

SymboleParamètreValeurUnité
VCBOTension de collecteur-base-60V
VCEOTension de collecteur-émetteur-60V
VEBOTension d'Émetteur-base-4V
ICCourant de collecteur-500mA
PCDissipation de puissance de collecteur225mW
RΘJARésistance thermique de jonction à ambiant556℃/W
TjLa température de jonction150
TstgTempérature de stockage-55~+150

 
 
 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

ParamètreSymboleConditions d'essaiMinuteTypeMaximumUnité
Tension claque de collecteur-baseV (BR) CBOIC=0.1mA, C.-À-D. =040  V
Tension claque de collecteur-émetteurPRÉSIDENT V (DE BR)IC= 1mA. IB=030  V
tension claque d'Émetteur-baseV (BR) EBOC.-À-D. = 10μA, IC=07  V
Courant de coupure de collecteurICBOVCB= 10V, C.-À-D. =0  0,1μA
Courant de coupure d'émetteurIEBOVEB=7V, IC=0  0,1μA

 
 

Gain actuel de C.C

hFE (1)VCE= 2 V, IC=1mA 200  
 hFE (2)VCE= 2V, IC = 500mA230 800 
 hFE (3)VCE= 2V, IC =2A150   
Tension de saturation de collecteur-émetteurVCE (reposé)IC=3A, IB=0.1A  1V
Fréquence de transitionfTVCE=6V, IC=50mA 150 Mégahertz
CapacitéÉpiVCB=20 V, C.-À-D. =0, f=1MHZ  50PF

 
 
 
 

CLASSIFICATION DEFede h(2)

 

 

RangQRS
Gamme230-380340-600560-800

 
 
 

 

 Dimensions d'ensemble de paquet
 

SymboleDimensions dans les millimètresDimensions en pouces
 MinuteMaximumMinuteMaximum
A0,9001,1500,0350,045
A10,0000,1000,0000,004
A20,9001,0500,0350,041
b0,3000,5000,0120,020
c0,0800,1500,0030,006
D2,8003,0000,1100,118
E1,2001,4000,0470,055
E12,2502,5500,0890,100
e0,950 TYPES0,037 TYPES
e11,8002,0000,0710,079
L0,550 RÉFÉRENCES0,022 RÉFÉRENCES
L10,3000,5000,0120,020
θ

 
 
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Bande et bobine de SOT-89-3L
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Courant de collecteur matériel de silicium de transistor de puissance du silicium 2SD965A 600 mA 2
Courant de collecteur matériel de silicium de transistor de puissance du silicium 2SD965A 600 mA 3
 
 
 
 

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