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Circuit de transistor de D882 NPN, tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance de NPN 30v

Name: Circuit de transistor de D882 NPN, tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance de NPN 30v
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: D882

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Certificat

Examens de client

nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Circuit de transistor de D882 NPN, tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance de NPN 30v

Image Grand : Circuit de transistor de D882 NPN, tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance de NPN 30v

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	Shenzhen en Chine
Nom de marque:	Hua Xuan Yang
Certification:	RoHS、SGS
Numéro de modèle:	D882

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1000-2000 PCs
Prix:	Negotiated
Détails d'emballage:	Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:	1 - 2 semaines
Conditions de paiement:	L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:	18,000,000PCS/par jour

Contact

Circuit de transistor de D882 NPN, tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance de NPN 30v

description de

Tension de VoltageCollector-base de collecteur-base:	40V	Tension de collecteur-émetteur:	30V
tension d'Émetteur-base:	6v	Transistor de transistor MOSFET de puissance:	TO-126 Plastique-s'encapsulent
Matériau:	de silicium	Type:	Transistor de triode
Surligner:	transistors de série d'astuce , transistor de pnp de puissance élevée

TO-126 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors D882 (NPN)

CARACTÉRISTIQUE

Dissipation de puissance

REPÉRAGE

Code de D882=Device

Point solide = vert moulant le dispositif composé, si aucun, le dispositif normal XX=Code

Circuit de transistor de D882 NPN, tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance de NPN 30v 0

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce	Paquet	Méthode d'emballage	Quantité de paquet
D882	TO-126	Le volume	200pcs/Bag
D882-TU	TO-126	Tube	60pcs/Tube

ESTIMATIONS MAXIMUM (T_un =25 Š sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	40	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	30	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	6	V
I_C	Courant de collecteur - continu	3	A
P_C	Dissipation de puissance de collecteur	1,25	W
T_J	La température de jonction	150	℃
Tstg	Température de stockage	-55-150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) _CBO	I_C = 100μA, C.-À-D. =0	40			V
Tension claque de collecteur-émetteur	_PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C = 10mA, I_B=0	30			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) _EBO	C.-À-D. = 100μA, I_C=0	6			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB= 40 V, C.-À-D. =0			1	µA
Courant de coupure de collecteur	ICEO	V_CE= 30 V, I_B=0			10	µA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB= 6 V, I_C=0			1	µA
Gain actuel de C.C	hFE	V_CE= 2 V, I_C= 1A	60		400
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			0,5	V
Tension de saturation d'émetteur de base	VBE (reposé)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			1,5	V
Fréquence de transition	f_T	V_CE= 5V, I_C=0.1A f =10MHz		90		Mégahertz

CLASSIFICATION DE_Fede h₍₂₎

Rang	R	O	Y	LE GR
Gamme	60-120	100-200	160-320	200-400

Caractéristiques typiques

Circuit de transistor de D882 NPN, tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance de NPN 30v 1

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
Symbole	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	2,500	2,900	0,098	0,114
A1	1,100	1,500	0,043	0,059
b	0,660	0,860	0,026	0,034
b1	1,170	1,370	0,046	0,054
c	0,450	0,600	0,018	0,024
D	7,400	7,800	0,291	0,307
E	10,600	11,000	0,417	0,433
e	2,290 TYPE		0,090 TYPES
e1	4,480	4,680	0,176	0,184
h	0,000	0,300	0,000	0,012
L	15,300	15,700	0,602	0,618
L1	2,100	2,300	0,083	0,091
P	3,900	4,100	0,154	0,161
Φ	3,000	3,200	0,118	0,126

Circuit de transistor de D882 NPN, tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance de NPN 30v 5

Produit Tag:

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