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Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique

Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique
Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique

Image Grand :  Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 18N20 TO-263
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique

description de
Nom du produit: transistor de canal de n Caractéristiques: Paquet extérieur de bâti
Numéro de modèle: 18N20 TO-263 tension de Drain-source: 200 V
Courant continu de drain: 18A Applications: commutateur de transistor MOSFET de logique
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique
 
Description de transistor de la Manche de N
 
La technologie plate avancée des utilisations 18N20X
pour fournir à l'excellent RDS (dessus), à la basses charge de porte et opération des tensions de porte aussi basses que 2.5V. Ce dispositif convient pour l'usage comme protection de batterie ou dans l'autre application de commutation.
Caractéristiques générales
Vds = 200V identification = 18A
Le RDS (dessus) < 120mQ=""> 
Inscription et information de commande de paquet
 

Identité de produit

Paquet

Repérage

Quantité (PCS)

18N20P

TO-220

18N20P XXX YYYY

1000

18N20F

TO-263

18N20F XXX YYYY

1000

 
Capacités absolues Tc=25°C sauf indication contraire
 

 Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique 0
transistor MOSFET de mode d'amélioration du N-canal 200V
 

Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique 1
 

Essai d'impulsion : Durée d'impulsion < 300=""> 
Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique 2
Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique 3
Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique 4

Contour du paquet TO-252

Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique 5

DIMENSIONS (unité : millimètre)

Symbole

Minute

Type

Maximum

Symbole

Minute

Type

Maximum

A

2,22

2,30

2,38

A1

0,46

0,58

0,93

b

0,71

0,79

0,89

b1

0,90

0,98

1,10

b2

5,00

5,30

5,46

c

0,20

0,40

0,56

D1

5,98

6,05

6,22

D2

--

4,00

--

E

6,47

6,60

6,73

E1

5,10

5,28

5,45

e

--

2,28

--

e1

--

4,57

--

Hd

9,60

10,08

10,40

L

2,75

2,95

3,05

L1

--

0,50

--

L2

0,80

0,90

1,10

W

--

0,20

--

y

0,20

--

--

 

 
L'information de paquet de TO-220-3L
Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique 6

Symbole

Dimensions dans les millimètres

Dimensions en pouces

Minimal.

Maximum.

Minimal.

Maximum.

A

4,400

4,600

0,173

0,181

A1

2,250

2,550

0,089

0,100

b

0,710

0,910

0,028

0,036

b1

1,170

1,370

0,046

0,054

c

0,330

0,650

0,013

0,026

Cl

1,200

1,400

0,047

0,055

D

9,910

10,250

0,390

0,404

E

8,9500

9,750

0,352

0,384

E1

12,650

12,950

0,498

0,510

e

2,540 TYPE.

0,100 TYPES.

EL

4,980

5,180

0,196

0,204

F

2,650

2,950

0,104

0,116

H

7,900

8,100

0,311

0,319

h

0,000

0,300

0,000

0,012

L

12,900

13,400

0,508

0,528

L1

2,850

3,250

0,112

0,128

V

7,500 Réf.

0,295 Réf.

①

3,400

3,800

0,134

0,150

 
L'information de paquet d'O-263-2L
Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique 7

SYMBOLE

Inc.

HIES

MILLIM

ETERS

NOTIES

MINUTE

Max

MINI

Max

A

0,170

0,180

4,32

4,57

 

A1

-

0,010

-

0,25

 

b

0,028

0,037

0,71

0,94

 

b2

0,045

0,055

1,15

1,40

 

c

0,018

0,024

0,46

0,61

 

C2

0,04|8

0,055

1,22

1,40

 

D

0,350

0,370

8,89

9,40

 

D1I

0,315

0,324

8,01

8,23

 

E

0,395

0,405

10,04

10,28

 

E1

0,310

0,318

7,88

8,08

 

e

0,100

BSC.

2,54

BSC.

 

L

0,580

0,620

14,73

15,75

 

L1I

0,090

0,110

2,29

2,79

 

L2

0,045

0,055

1,15

1,39

 

L3

0,050

0,070

1,27

1,77

 

B

0°

8°

Cr

8°

 

Produit Tag:

transistor à haute tension,

transistor de transistor MOSFET de canal de n,

commutateur à forte intensité de transistor MOSFET

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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À propos

transistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor de niveau de la logique HXY4616, transistor MOSFET complémentaire à haute tension du transistor 30V

Haute tension VDS 40V VGS ±20v du transistor de puissance du transistor MOSFET HXY4616 ±20v VGS

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P

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