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Le plastique des transistors de puissance d'astuce de 3DD13001B NPN TO-92 a encapsulé VCEO 420V

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Le plastique des transistors de puissance d'astuce de 3DD13001B NPN TO-92 a encapsulé VCEO 420V

Le plastique des transistors de puissance d'astuce de 3DD13001B NPN TO-92 a encapsulé VCEO 420V
Le plastique des transistors de puissance d'astuce de 3DD13001B NPN TO-92 a encapsulé VCEO 420V

Image Grand :  Le plastique des transistors de puissance d'astuce de 3DD13001B NPN TO-92 a encapsulé VCEO 420V

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 3DD13001B
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Le plastique des transistors de puissance d'astuce de 3DD13001B NPN TO-92 a encapsulé VCEO 420V

description de
PC: 0.75W VCEO: 420V
VCBO: 600v Nom du produit: type de triode de semi-conducteur
TJ: 150℃ Type: Transistor de triode
Surligner:

transistor de pnp d'astuce

,

transistors de série d'astuce

TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 3DD13001B (NPN)

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Applications de commutation de puissance de Ÿ

 

 

REPÉRAGE

code 13001=Device

S 6B=Code

 

Le plastique des transistors de puissance d'astuce de 3DD13001B NPN TO-92 a encapsulé VCEO 420V 0

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
3DD13001B TO-92 Le volume 1000pcs/Bag
3DD13001B-TA TO-92 Bande 2000pcs/Box


 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 600 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 420 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 7 V
IC Courant de collecteur - continu 0,2 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 0,75 W
TJ La température de jonction 150 ℃
Tstg Température de stockage -55 ~150 ℃

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC= 100μA, C.-À-D. =0 600     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC= 1mA, IB=0 400     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = 100μA, IC=0 7     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB= 600V, C.-À-D. =0     100 μA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE= 400V, IB=0     200 μA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=7V, IC=0     100 μA

 

Gain actuel de C.C

 hFE (1) VCE= 20V, IC= 20mA 14   29  
  hFE (2) VCE= 10V, IC= 0,25 mA 5      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC= 50mA, IB= 10 mA     0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC= 50 mA, IB= 10mA     1,2 V
Fréquence de transition fT

VCE= 20V, IC=20mA

f = 1MHz

 8     Mégahertz
Temps de chute tf

 

IC=50mA, IB1=-IB2=5mA, VCC=45V

     0,3 μs
Temps d'entreposage tS       1,5 μs

 
  

CLASSIFICATION DEFede h(2)

Gamme 14-17 17-20 20-23 23-26 26-29

 

 

 

 

Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TYPE 0,050 TYPES
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
Φ   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Le plastique des transistors de puissance d'astuce de 3DD13001B NPN TO-92 a encapsulé VCEO 420V 1

 

 

Produit Tag:

transistor de pnp de puissance élevée,

transistors de série d'astuce,

transistor de pnp d'astuce

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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