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Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V

Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V
Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V

Image Grand :  Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 3DD13005HD55
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V

description de
Dissipation de puissance de collecteur: 1.5W La température de jonction: ℃ 150
VCBO: 600v Nom du produit: type de triode de semi-conducteur
Courant de collecteur: 3.5A Type: Transistor de triode
Surligner:

transistors de série d'astuce

,

transistor de pnp de puissance élevée

TO-126 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 3DD13005HD55 (NPN)

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Applications de commutation de puissance de Ÿ

Bonne haute température de Ÿ

Basse tension de saturation de Ÿ

Commutation à grande vitesse de Ÿ

 

 

REPÉRAGE

Code du logo 13005HD55=Device de JCET

 

Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V 0

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
3DD13005HD55 TO-126 Le volume 200pcs/Bag
3DD13005HD55-TU TO-126 Tube 60pcs/Tube


 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 800 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 450 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 9 V
IC Courant de collecteur 3,5 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 1,5 W
RθJA Résistance thermique de jonction à ambiant 83,3 ℃/W
Tj La température de jonction 150 ℃
Tstg Température de stockage -55~+150 ℃

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=1mA, C.-À-D. =0 800     V
Tension claque de collecteur-émetteur V (BR) CEO* IC=10mA, IB=0 450     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = 1mA, IC=0 9     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=700V, C.-À-D. =0     100 μA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE=450V, IB=0     100 μA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=9V, IC=0     100 μA

 

Gain actuel de C.C

 hFE (1) * VCE=5V, IC=1A 10   40  
hFE (2) * VCE=5V, IC=5mA 10      
hFE (3) * VCE=5V, IC=2A 5      

 

Tension de saturation de collecteur-émetteur

 VCE (reposé) 1 IC=1A, IB=200mA     0,3 V
VCE (reposé) 2 IC=2A, IB=500mA     0,6 V

 

Tension de saturation d'émetteur de base

 VBE (reposé) 1 IC=2A, IB=500mA     1,2 V
VBE (reposé) 2 IC=500mA, IB=100mA     1 V
tension en avant d'Émetteur-collecteur L'ECDE VF IC=2A     2 V
Fréquence de transition fT VCE=10V, IC=500mA 5     Mégahertz
Temps d'entreposage solides totaux IC=250mA (UI9600)     5 µs

 

 


Caractéristiques typiques

 

 Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V 1Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V 2
 

 

Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TYPE 0,090 TYPES
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V 3

 

 

Produit Tag:

transistor de pnp de puissance élevée,

transistors de série d'astuce,

transistor de pnp d'astuce

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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