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MMBD1501A conjuguent conductibilité élevée de basse diode de fuite de diode de commutation

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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MMBD1501A conjuguent conductibilité élevée de basse diode de fuite de diode de commutation

MMBD1501A conjuguent conductibilité élevée de basse diode de fuite de diode de commutation
MMBD1501A conjuguent conductibilité élevée de basse diode de fuite de diode de commutation

Image Grand :  MMBD1501A conjuguent conductibilité élevée de basse diode de fuite de diode de commutation

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: MMBD1501A
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

MMBD1501A conjuguent conductibilité élevée de basse diode de fuite de diode de commutation

description de
Identité de produit: MMBD1501A D'entité: Conductibilité élevée
Type: Double diode de commutation Courant en avant maximal: 700mA
Surligner:

diode de commutation à haute tension

,

double diode de commutation de série

La BASSE DIODE SOT-23 de FUITE de MMBD1501A Plastique-encapsulent des diodes

 

CARACTÉRISTIQUES

 

  • Basse fuite
  • Conductibilité élevée

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25℃ sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Valeur Unité
VR Tension de blocage de C.C 200 V
E/S Courant en avant continu 200 mA
IFM Courant en avant maximal 700 mA
IFSM Courant de montée subite en avant maximal non répétitif @t=8.3ms 2,0 A
Palladium Dissipation de puissance 350 mW
RθJA Résistance thermique de jonction à ambiant 357 ℃/W
Tj La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55~+150

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Tun =25℃ sauf indication contraire)

 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension inverse V (BR) IR=5μA 200     V
Courant inverse IR VR=180V     10 Na

 

 

 

Tension en avant

 

 

 

VF

IF=1mA     0,75

 

 

 

V

IF=10mA     0,85
IF=50mA     0,95
IF=100mA     1,1
IF=200mA     1,3
IF=300mA     1,5
Capacité totale Ctot VR=0V, f=1MHz     4 PF

 

 


Dimensions d'ensemble du paquet SOT-23

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TYPES 0,037 TYPES
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 RÉFÉRENCES 0,022 RÉFÉRENCES
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 

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