Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor de niveau de la logique HXY4616, transistor MOSFET complémentaire à haute tension du transistor 30V

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
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Transistor de niveau de la logique HXY4616, transistor MOSFET complémentaire à haute tension du transistor 30V

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Transistor de niveau de la logique HXY4616, transistor MOSFET complémentaire à haute tension du transistor 30V

Image Grand :  Transistor de niveau de la logique HXY4616, transistor MOSFET complémentaire à haute tension du transistor 30V

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: HXY4616
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Transistor de niveau de la logique HXY4616, transistor MOSFET complémentaire à haute tension du transistor 30V

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET Type: Transistor de transistor MOSFET
Identité de produit: 20G04S VDS: 40V
Caractéristiques: Paquet extérieur de bâti VGS: ±20V
Surligner:

high current mosfet switch

,

high voltage transistor

Transistor MOSFET complémentaire de HXY4616 30V

 

Description

 

Les utilisations HXY4616 avancées trench la technologie au RDS provideexcellent (DESSUS) et à la basse charge de porte. Thiscomplementary N et P creusent des rigoles des configurationis de transistor MOSFET idéaux pour de basses applications d'inverseur de tension d'entrée.

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Caractéristiques électriques de N-canal (T=25°C sauf indication contraire)
 
 
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A. La valeur duθJAde R est mesurée avec le dispositif monté sur 1in A =25°C. que la valeur dans n'importe quelle application indiquée dépend du conseil spécifique du conseil design.2 FR-4 de l'utilisateur avec 2oz. Cuivrez, dans un environnement aérien encore avec T

B. La dissipation de puissance PD est basée sur TJ(max) =150°C, utilisant la résistance thermique jonction-à-ambiante du ≤ 10s. C. l'estimation répétitive, durée d'impulsion limitée par des estimations de la température de jonction TJ(max) =150°C. sont basées sur basse fréquence et des temps d'utilisation pour garder l'initialTJ=25°C.

D. LeθJAde R est la somme de l'impédance thermique de la jonction pour mener leθJLde R et à mener à ambiant.

E. Les caractéristiques statiques sur les schémas 1 6 sont obtenues utilisant <300>

F. Ces courbes sont basées sur l'impédance thermique jonction-à-ambiante qui est mesurée avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4 avec 2oz. Cuivrez, en supposant qu'une température de jonction maximum de TJ(max) =150°C. la courbe de SOA fournit un ratin simple G. d'impulsion.

 

N-canal : CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES
 
 
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