Type:COMMUTATION DIODESOD
VRM:100V
Transistor de transistor MOSFET de puissance:SOT-23 Plastique-encapsulent des diodes
Type:COMMUTATION DIODESOD
D'entité:Basse fuite
Transistor de transistor MOSFET de puissance:SOT-23 Plastique-encapsulent des diodes
Type:COMMUTATION DIODESOD
Application:Commutation d'usage universel
Transistor de transistor MOSFET de puissance:Plastique-EncapsulateDiodes SOD-123
Type:COMMUTATION DIODESOD
D'entité:Vitesse de commutation rapide
Transistor de transistor MOSFET de puissance:Plastique-EncapsulateDiodes SOD-123
La température de jonction:℃ 150
Transistor de transistor MOSFET de puissance:SOT-23 Plastique-s'encapsulent
Application:l'alimentation d'énergie mobile a mené le contrôle de conducteur/moteur
Type:Transistor de puissance de silicium
D'entité:Basse sur-résistance équivalente
Tension de collecteur-émetteur:60V
La température de jonction:℃ 150
Type:Transistor de triode
Application:l'alimentation d'énergie mobile a mené le contrôle de conducteur/moteur
D'entité:Basse fuite
Transistor de transistor MOSFET de puissance:SOT-23 Plastique-encapsulent des transistors
Identité de produit:MMBT4403
Tension de collecteur-base de VCBO:-80 V
Nom du produit:Triode de semi-conducteur
Quantité de commande min:1000-2000 PCs
Tension de collecteur-base:310V
tension d'Émetteur-base:5V
Tstg:-55~+150℃
Tension de collecteur-base:400V
La température de jonction:℃ 150
Tstg:-55~+150℃
La température de jonction:℃ 150
Dissipation de puissance de collecteur:225mW
D'entité:Applications d'usage universel d'amplificateur