Qualité transistor de puissance de transistor MOSFET & Transistors de puissance d'astuce usine

Courant de collecteur élevé de gain actuel de C.C de triode de semi-conducteur de TO-220-3L TIP117 -2A
- Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
- Prix: Negotiated
- Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
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Type haute performance de bâti de surface de transistor de puissance du transistor MOSFET WST2078
- Numéro de modèle: WST2078
- Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET
- Caractéristiques: Paquet extérieur de bâti
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Matériel de silicium des transistors de puissance d'astuce de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V
- VCBO: -40v
- VCEO: -30V
- La température de stockage: -55-150℃
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2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP
- Nom du produit: type de triode de semi-conducteur
- Application: l'alimentation d'énergie mobile a mené le contrôle de conducteur/moteur
- Matériau: de silicium
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Transistor de puissance du silicium BAW56/BAV70/BAV9 pour la commutation d'usage universel
- Type: COMMUTATION DIODESOD
- Application: Commutation d'usage universel
- Transistor de transistor MOSFET de puissance: Plastique-EncapsulateDiodes SOD-123
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Transistors encapsulés par plastique du transistor de puissance de silicium de MMBTA55 NPN SOT-23
- La température de jonction: ℃ 150
- Type: Transistor de triode
- Application: l'alimentation d'énergie mobile a mené le contrôle de conducteur/moteur
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Définissez la capacité à forte intensité de la diode MBR2030,35,40,45,50FCT de Schottky de puissance
- Type: Puce de barrière de Schottky
- La moyenne a rectifié le courant de sortie: 20A
- Tension inverse maximale fonctionnante: 30-60V
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Pont redresseur de diode de MBR10150,200 Schottky, pont redresseur de diode
- Transistor de transistor MOSFET de puissance: TO-220-3L Plastique-encapsulent des diodes
- Tension de blocage de C.C: 150/200v
- La moyenne a rectifié le courant de sortie: 10A
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TIP117 transistor à forte intensité, fuite de transistor de commutateur électrique basse
- Type: Triode de semi-conducteur
- Transistor de transistor MOSFET de puissance: Plastique de TO-220-3L - encapsulé
- Identité de produit: TIP117
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M1 PAR la tension inverse à haute tension de diode de redresseur M7 - 50 à 1000 volts
- Type: Redresseur de silicium d'usage universel
- RθJA: 75.0℃/W
- IFSM: 30.0Amp
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matériel de silicium d'AlphaSGT HXY4264 de la Manche du transistor à effet de champ de MOS 60V N
- Numéro de modèle: HXY4264
- Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET
- La température de jonction :: 150℃
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FR101 PAR FR107 jeûnent diode de redresseur, diode ultra-rapide de récupération
- Type: COMMUTATION DIODESOD
- D'entité: Basse fuite inverse
- Terminaux: Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,
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