Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P

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Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P

Image Grand :  Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 20G04GD
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET Caractéristiques: Paquet extérieur de bâti
Identification: 20A Numéro de modèle: WST3078
VGS: -10V Applications: Gestion de puissance
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de 20G04GD 40V N+P-Channel
 

 

Description

 

Le fossé avancé des utilisations 20G04GD 

technologie pour fournir excellent RDS(DESSUS)

et basse charge de porte. Ce dispositif est

approprié pour l'usage comme commutateur de charge ou dedans

Applications de PWM.

 

 

CARACTÉRISTIQUES GÉNÉRALES
N-CH VDS =-40V, IDENTIFICATION =20A LE RDS (DESSUS) < 25m="">
 
Application
Applications de PWM
Commutateur de charge
Gestion de puissance
 
 
Inscription et information de commande de paquet
Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P 0
 

Ratings@T maximum absolu =25oC (sauf indication contraire)

 

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P 1

N-CH Characteristics@ électrique T =25oC (sauf indication contraire)

 

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P 2

P-CH Characteristics@T électrique =25oC (sauf indication contraire)

 

 

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P 3

 
 
P-CH Characteristics@T électrique =25oC (sauf indication contraire)
 
Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04GD 40V N+P 4
 
 
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