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Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse

Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse

Image Grand :  Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: WSF6012.
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET La température de jonction :: 150℃
Matériau: de silicium Numéro de modèle: WSF6012
Affaire: Bande/plateau/bobine Type: Transistor de transistor MOSFET
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

QM4803D N-ch et transistor MOSFET de P-canal
 

 

Description

 

Le WSF6012 est la plus haute performance

transistor MOSFET N-ch et P-ch de fossé avec l'extrémité

densité élevée de cellules, qui fournissent excellent

RDSON et porte facturent les la plupart de

applications synchrones de convertisseur de mâle.

 

Le rassemblement WSF6012 le RoHS et le vert

Condition de produit, 100% EAS

garanti avec la pleine fiabilité de fonction

approuvé.

 

 

Caractéristiques
 
technologie élevée avancée de fossé de densité de cellules de z
charge superbe de porte de z basse
excellente CdV/dt baisse d'effet de z
z 100% EAS garanti
dispositif de vert de z disponible

 

 

Applications

 

  • convertisseur synchrone de mâle de Point-de-charge à haute fréquence de z pour MB/NB/UMPC/VGA
  • système d'alimentation de la mise en réseau DC-DC de z
  • inverseur de contre-jour de z CCFL

 

 

Produit estival
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 0
 
 
 
Capacités absolues

 

Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 1

 

 

Données thermiques
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 2
 
 
Caractéristiques électriques de N-canal (℃ TJ=25, sauf indication contraire)
 
 Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 3
 
 
 
Caractéristiques garanties d'avalanche
 
 
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 4
 
 
Caractéristiques de diode
 
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 5
 
 
Note :
1. Les données ont examiné par la surface montée sur un 1 conseil d'inch2 FR-4 avec le cuivre 2OZ.
2. Les données ont examiné par pulsé, le ≦ 300us, le ≦ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation
3. La dissipation de puissance est limitée par la température de jonction 150℃
4. Les données sont théoriquement identique que l'identification et l'IDM, dans de vraies applications, devraient être limité par dissipation de puissance totale.
 
 
Caractéristiques électriques de P-canal (℃ TJ=25, sauf indication contraire)
 
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 6
 
Caractéristiques garanties d'avalanche
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 7
 
 
Caractéristiques de diode
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 8
 
 
Note :
1. Les données ont examiné par la surface montée sur un 1 inch2
Panneau FR-4 avec le cuivre 2OZ.
2. Les données ont examiné par pulsé, le ≦ 300us, le ≦ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation
3. La dissipation de puissance est limitée par des données de la température de jonction 150℃ 4.The est théoriquement identique que l'identification et l'IDM, dans de vraies applications, devraient être limité par dissipation de puissance totale.
 
 
Caractéristiques typiques de N-canal
 
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 9Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 10Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 11Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 12
 
 
 
Caractéristiques typiques de P-canal
 
Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 13Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 14Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 15Charge de porte de transistor MOSFET de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET du silicium WSF6012 N/P basse 16
 
 

Produit Tag:

transistor à haute tension,

transistor de transistor MOSFET de canal de n,

commutateur à forte intensité de transistor MOSFET

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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