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Aperçu ProduitsTransistor à effet de champ de MOS

Plastique du transistor à effet de champ de MOS HXY3404 SOT-23 encapsulé

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Plastique du transistor à effet de champ de MOS HXY3404 SOT-23 encapsulé

Plastique du transistor à effet de champ de MOS HXY3404 SOT-23 encapsulé
Plastique du transistor à effet de champ de MOS HXY3404 SOT-23 encapsulé

Image Grand :  Plastique du transistor à effet de champ de MOS HXY3404 SOT-23 encapsulé

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: HXY3404
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Plastique du transistor à effet de champ de MOS HXY3404 SOT-23 encapsulé

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET La température de jonction :: 150℃
Matériau: de silicium Numéro de modèle: HXY3404
Affaire: Bande/plateau/bobine Type: Transistor de transistor MOSFET
Surligner:

transistor à forte intensité

,

commutateur de transistor MOSFET de logique

SOT-23 Plastique-encapsulent le transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal des TRANSISTORS MOSFET HXY3404
 

 

Résumé de produit

 

ID= 6,0 A VDSS=20v
Le RDS (dessus) <32 m="">
Le RDS (dessus) <40 m="">
 
 
CARACTÉRISTIQUE 
 
Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET
 
 
APPLICATION
 
 
Convertisseurs de DC/DC
Commutation de charge pour des applications portatives
 
 
Estimations maximum (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 
 
T =25 un ℃ sauf indication contraire
 
 
 
Plastique du transistor à effet de champ de MOS HXY3404 SOT-23 encapsulé 0Plastique du transistor à effet de champ de MOS HXY3404 SOT-23 encapsulé 1Plastique du transistor à effet de champ de MOS HXY3404 SOT-23 encapsulé 2Plastique du transistor à effet de champ de MOS HXY3404 SOT-23 encapsulé 3

Produit Tag:

commutateur de transistor MOSFET de logique,

conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor,

transistor à forte intensité

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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À propos

transistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor de niveau de la logique HXY4616, transistor MOSFET complémentaire à haute tension du transistor 30V

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