Aperçu Produits transistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor MOSFET de P-canal de HXY4435 30V

Name: Transistor MOSFET de P-canal de HXY4435 30V
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: HXY4435

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Certificat

Examens de client

nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Transistor MOSFET de P-canal de HXY4435 30V

Image Grand : Transistor MOSFET de P-canal de HXY4435 30V

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	Shenzhen en Chine
Nom de marque:	Hua Xuan Yang
Certification:	RoHS、SGS
Numéro de modèle:	HXY4435

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1000-2000 PCs
Prix:	Negotiated
Détails d'emballage:	Enfermé dans une boîte
Délai de livraison:	1 - 2 semaines
Conditions de paiement:	L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:	18,000,000PCS/par jour

Contact

Transistor MOSFET de P-canal de HXY4435 30V

description de

Nom du produit:	transistor de puissance de transistor MOSFET	VDS:	30V
Numéro de modèle:	HXY4435	Application:	circuits à haute fréquence
D'entité:	Basse charge de porte	VGS:	30V
Surligner:	commutateur à forte intensité de transistor MOSFET , transistor à haute tension

Transistor MOSFET de P-canal de HXY4435 30V

Description

A. La valeur de RθJA est mesurée avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4 avec 2oz. Cuivrez, dans un environnement aérien encore avec les VENTRES =25°C. que la valeur dans n'importe quelle application indiquée dépend de la conception spécifique du conseil de l'utilisateur.

B. Le palladium de dissipation de puissance est basé sur TJ (max) =150°C, utilisant la résistance thermique jonction-à-ambiante du ≤ 10s.

C. l'estimation répétitive, durée d'impulsion limitée par des estimations de la température de jonction TJ (max) =150°C. sont basées sur basse fréquence et des temps d'utilisation pour garder initialTJ=25°C.

D. Le RθJA est la somme de l'impédance thermique de la jonction pour mener RθJL et à mener à ambiant.

E. Les caractéristiques statiques sur les schémas 1 6 sont obtenues utilisant <300>

F. Ces courbes sont basées sur l'impédance thermique jonction-à-ambiante qui est mesurée avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4 avec 2oz. Cuivrez, en supposant qu'une température de jonction maximum de TJ (max) =150°C. la courbe de SOA fournit une estimation simple d'impulsion.