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Détails sur le produit:
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| Nom du produit: | transistor de puissance de transistor MOSFET | Application: | Gestion de puissance |
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| D'entité: | L'excellent RDS (dessus) | Transistor de transistor MOSFET de puissance: | Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration |
| Numéro de modèle: | 4N60 | ||
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
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Transistor MOSFET de la puissance 2N60-TC3
2A, TRANSISTOR MOSFET de PUISSANCE du N-CANAL 600V
L'UTC 4N60-R est un transistor MOSFET à haute tension de puissance et est conçu pour avoir de meilleures caractéristiques, telles que le temps rapide de commutation, la basse charge de porte, basse résistance de sur-état et pour avoir des caractéristiques rocailleuses élevées d'une avalanche. Ce transistor MOSFET de puissance est habituellement utilisé aux applications à grande vitesse de commutation dans des contrôles d'alimentations d'énergie, de moteur de PWM, Efficace élevé des convertisseurs continu-continu Et des montages en pont.
CARACTÉRISTIQUES
* RDS(DESSUS)< 2=""> GS = 10 V
* capacité rapide de commutation
* énergie d'avalanche spécifique
* capacité améliorée de dv/dt, rugosité élevée
| Numéro de commande | Paquet | Tâche de Pin | Emballage | |||
| Sans plomb | L'halogène libèrent | 1 | 2 | 3 | ||
| 4N60L-TF1-T | 4N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tube |
Note : Tâche de Pin : G : Porte D : Drain S : Source
CAPACITÉS ABSOLUES de n (TC = 25°С, sauf indication contraire)
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | ESTIMATIONS | UNITÉ | |
| Tension de Drain-source | VDSS | 600 | V | |
| Tension de Porte-source | VGSS | ±30 | V | |
| Courant d'avalanche (note 2) | IAR | 4 | A | |
| Vidangez le courant | Continu | ID | 4,0 | A |
| Pulsé (note 2) | IDM | 16 | A | |
| Énergie d'avalanche | Choisissez pulsé (note 3) | EAS | 160 | MJ |
| Faites une pointe la récupération de diode dv/dt (note 4) | dv/dt | 4,5 | V/ns | |
| Dissipation de puissance | PD | 36 | W | |
| La température de jonction | TJ | +150 | °С | |
| Température de fonctionnement | TOPR | -55 | +150 | °С | |
| Température de stockage | TSTG | -55 | +150 | °С | |
Notes : 1. les capacités absolues sont ces valeurs au delà dont le dispositif pourrait être de manière permanente endommagé.
Les capacités absolues sont des estimations d'effort seulement et l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée.
4. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
5. L = 84mH, ICOMME =1.4A, Vdensité double = 50V, RG = Ω 25 commençant TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, densité double ≤BVSAD d'écart-typede V, commençant TJ = 25°C
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | ESTIMATIONS | UNITÉ |
| Jonction à ambiant | θJA | 62,5 | °С/W |
| Jonction au cas | θJc | 3,47 | °С/W |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TJ = 25°С, sauf indication contraire)
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | CONDITIONS D'ESSAI | MINUTE | TYPE | Max | UNITÉ | |
| OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES | |||||||
| Tension claque de Drain-source | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Courant de fuite de Drain-source | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 10 | μA | |||
| VDS=480V, TC=125°С | 100 | µA | |||||
| Courant de fuite de Porte-source | En avant | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | Na | ||
| Inverse | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | Na | ||||
| Coefficient de température de tension claque | △BVDSS/△TJ | ID=250μA, référencé à 25°C | 0,6 | V/°С | |||
| SUR DES CARACTÉRISTIQUES | |||||||
| Tension de seuil de porte | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 3,0 | 5,0 | V | ||
| Résistance statique de Sur-état de Drain-source | LE RDS (DESSUS) | VGS=10 V, ID=2.2A | 2,3 | 2,5 | Ω | ||
| CARACTÉRISTIQUES DYNAMIQUES | |||||||
| Capacité d'entrée | CISS |
VDS =25V, VGS=0V, f =1MHz |
440 | 670 | PF | ||
| Capacité de sortie | COSS | 50 | 100 | PF | |||
| Capacité inverse de transfert | CRSS | 6,8 | 20 | PF | |||
| CARACTÉRISTIQUES DE COMMUTATION | |||||||
| Temps de retard d'ouverture | le TD (DESSUS) |
VDD=30V, ID=0.5A, RG=25Ω (Note 1, 2) |
45 | 60 | NS | ||
| Temps de montée d'ouverture | tR | 35 | 55 | NS | |||
| Temps de retard d'arrêt | le TD () | 65 | 85 | NS | |||
| Temps d'arrêt d'automne | tF | 40 | 60 | NS | |||
| Charge totale de porte | QG | VDS=50V, ID=1.3A, ID=100μA VGS=10V (note 1, 2) | 15 | 30 | OR | ||
| Charge de Porte-source | QGS | 5 | OR | ||||
| Charge de Porte-drain | QGD | 15 | OR | ||||
| ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES DE DIODE DE DRAIN DE SOURCE | |||||||
| Tension en avant de diode de Drain-source | VSD | VGS=0V, IS=4.4A | 1,4 | V | |||
| La diode continue maximum de Drain-source expédient le courant | IS | 4,4 | A | ||||
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Le maximum a palpité diode de Drain-source Courant en avant |
ISM | 17,6 | A | ||||
| Temps de rétablissement inverse | trr |
VGS=0 V, IS=4.4A, DiF/dt=100 A/μs (note 1) |
250 | NS | |||
| Charge inverse de récupération | QRR | 1,5 | μC | ||||
Notes : 1. essai d'impulsion : ≤ 300µs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
Personne à contacter: David
