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Détails sur le produit:
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| Nom du produit: | transistor de puissance de transistor MOSFET | Type: | Composants électroniques |
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| Numéro de modèle: | 30P03X TO-252 | tension de Drain-source: | -30 V |
| Tension de Porte-Source: | ±25 V | Taille: | Taille standard |
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
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Taille standard électronique du transistor de puissance de transistor MOSFET de composants 30P03X TO-252
Description de transistor de puissance de transistor MOSFET
La technologie avancée de fossé des utilisations 30P03X
et conception pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS) le bas
gatecharge. Il peut être employé dans l'une grande variété
applications.
Caractéristiques générales de transistor de puissance de transistor MOSFET
VDS=-30V, ID=-40A
LE RDS (DESSUS)<20m>
LE RDS (DESSUS)<32m>
Application de transistor de puissance de transistor MOSFET
Application de commutation de puissance de ●
Circuits dur commutés et à haute fréquence de ●
Alimentation d'énergie non interruptible de ●
Inscription et information de commande de paquet
Capacités absolues (T A =25℃ sauf indication contraire)
Caractéristiques électriques (T A =25℃ sauf indication contraire)
Notes :
1. estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
2. surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
4. garanti par conception, pas sujet à la production
Caractéristiques électriques et thermiques typiques
Personne à contacter: David
