Aperçu ProduitsTransistor à effet de champ de MOS

V transistor à effet de champ de MOS de configurations N/mode d'amélioration Manche de P

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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V transistor à effet de champ de MOS de configurations N/mode d'amélioration Manche de P

V transistor à effet de champ de MOS de configurations N/mode d'amélioration Manche de P
V transistor à effet de champ de MOS de configurations N/mode d'amélioration Manche de P

Image Grand :  V transistor à effet de champ de MOS de configurations N/mode d'amélioration Manche de P

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 10P10 DU
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

V transistor à effet de champ de MOS de configurations N/mode d'amélioration Manche de P

description de
Nom du produit: Transistor à effet de champ de MOS V tension de Drain-source de SAD: -100 V
V tension de Porte-source de GSS: ±20 V La température de jonction maximum de T J: °C 175
Température ambiante de température de stockage de T STG: °C -55 à 175 Type: V configurations
Surligner:

commutateur de transistor MOSFET de logique

,

conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor

V transistor à effet de champ de MOS de configurations N/mode d'amélioration Manche de P

 

Introduction de transistor à effet de champ de MOS

 

La technologie de transistor MOSFET est idéale pour l'usage dans beaucoup d'applications de puissance, où le bas commutateur sur la résistance permet à des hauts niveaux d'efficacité d'être atteints.

Il y a un certain nombre de différentes variétés de transistor MOSFET de puissance fournies par différents fabricants, chacun avec ses propres caractéristiques et capacités.

Beaucoup de transistors MOSFET de puissance incorporent une topologie verticale de structure. Ceci permet la commutation à forte intensité avec le rendement élevé dans relativement un petit meurent secteur. Il permet également au dispositif de soutenir la commutation à forte intensité et de tension.

 

Description de Pin de caractéristique de transistor à effet de champ de MOS


-100V/-10A
R DS (DESSUS) = (type.) @V 187mΩ GS = -10V
R DS (DESSUS) = (type.) @V 208mΩ GS = -4.5V
100%Avalanche examiné
Fiable et rocailleux
Halogène libre et DevicesAvailable vert
(RoHSCompliant)

 

Applications de transistor à effet de champ de MOS


Gestion de puissance pour des systèmes d'inverseur

 

L'information de commande et de repérage


Code de paquet


D : TO-252-2L U : TO-251-3L
Matériel d'Assemblée de code de date
YYXXX WW G : L'halogène libèrent


Note : Les produits sans plomb de HUAYI contiennent des composés de bâti/meurent les matériaux d'attache et le plateTermi- de bidon de matte de 100%
Finition de nation ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS. Les produits sans plomb de HUAYI rencontrent ou dépassent le sans plomb exigent
ments d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL à la température maximale sans plomb de ré-écoulement. HUAYI définit le « vert »
pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et l'halogène libre (le Br ou le Cl ne dépasse pas 900ppm en poids dans homogène
matériel et total du Br et du Cl ne dépasse pas 1500ppm en poids).
HUAYI se réserve le droit d'apporter des changements, des corrections, des améliorations, des modifications, et des améliorations à ces RP
- oduct et/ou à ce document à tout moment sans préavis

 

Capacités absolues

 

V transistor à effet de champ de MOS de configurations N/mode d'amélioration Manche de P 0

Note : * estimation répétitive ; durée d'impulsion limitée par la température de max.junction.
** Limité par T J maximum, commençant T J =25°C, L = 0.5mH, VD=-80V, V GS =-10V.

 

Caractéristiques électriques (comité technique =25°C sauf indication contraire)

 

V transistor à effet de champ de MOS de configurations N/mode d'amélioration Manche de P 1

Caractéristiques électriques (cont.) (comité technique =25°C sauf indication contraire)

 

V transistor à effet de champ de MOS de configurations N/mode d'amélioration Manche de P 2

Note : essai de *Pulse, pulsewidth≤ 300us, dutycycle≤ 2%

 

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