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Détails sur le produit:
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| Nom du produit: | Transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N | modèle: | AP5N10SI |
|---|---|---|---|
| Paquet: | SOT89-3 | Repérage: | AP5N10SI YYWWWW |
| Tension de VDSDrain-source: | 100V | Tension de rce de VGSGate-Sou: | ±20A |
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
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Transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche d'AP5N10SI N pour le système à piles
Description de transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N :
L'AP5N10SI est la logique simple de N-canal
transistors à effet de champ de puissance de mode d'amélioration à
fournissez excellent R DS (dessus), bas charge de porte et bas
déclenchez la résistance. Elle est jusqu'à la tension de l'opération 30V est bien adaptée dans l'alimentation d'énergie de mode de commutation, SMPS,
gestion et autre de puissance d'ordinateur portable
circuits à piles.
Caractéristiques de transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N :
LE RDS (DESSUS)<125m>
LE RDS (DESSUS)<135m>
Conception à haute densité superbe de cellules pour extrêmement - bas
Sur-résistance exceptionnelle du RDS (DESSUS) et courant de C.C de maximum
Applications de transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N :
Alimentation d'énergie de commutation, SMPS
Système à piles
Convertisseur de DC/DC
Convertisseur de DC/AC
Commutateur de charge
Inscription et information de commande de paquet
| Identité de produit | Paquet | Repérage | Quantité (PCS) |
| AP5N10SI | SOT89-3 | AP5N10SI YYWWWW | 1000 |
Estimations maximum du Tableau 1.Absolute (MERCI =25℃)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VDS | Tension de Drain-source (VGS=0V) | 100 | V |
| VGS | Tension de Porte-source (VDS=0V) | ±25 | V |
|
D I |
Vidangez Actuel-continu (℃ Tc=25) | 5 | A |
| Vidangez Actuel-continu (℃ Tc=100) | 3,1 | A | |
| IDM (pluse) | Vidangez Current-Continuous@ Actuel-a palpité (note 1) | 20 | A |
| Palladium | Dissipation de puissance maximum | 9,3 | W |
| TJ, TSTG | Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VDS | Tension de Drain-source (VGS=0V) | 100 | V |
| VGS | Tension de Porte-source (VDS=0V) | ±25 | V |
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D I |
Vidangez Actuel-continu (℃ Tc=25) | 5 | A |
| Vidangez Actuel-continu (℃ Tc=100) | 3,1 | A | |
| IDM (pluse) | Vidangez Current-Continuous@ Actuel-a palpité (note 1) | 20 | A |
| Palladium | Dissipation de puissance maximum | 9,3 | W |
| TJ, TSTG | Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
Caractéristique du Tableau 2.Thermal
| Symbole | Paramètre | Type | Valeur | Unité |
| R JA | Résistance thermique, Jonction-à-ambiante | - | 13,5 | ℃/W |
Caractéristiques électriques du tableau 3. (MERCI =25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité |
| États "Marche/Arrêt" | ||||||
| BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS=0V ID=250μA | 100 | V | ||
| IDSS | Courant zéro de drain de tension de porte | VDS=100V, VGS=0V | 100 | μA | ||
| IGSS | Courant de fuite de Porte-corps | VGS=±20V, VDS=0V | ±100 | Na | ||
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | VDS=VGS, μA ID=250 | 1 | 1,5 | 3 | V |
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LE RDS (DESSUS) |
Résistance de Sur-état de Drain-source |
VGS=10V, ID= 10A | 110 | 125 | m Ω | |
| VGS=4.5V, ID=-5A | 120 | 135 | m Ω | |||
| Caractéristiques dynamiques | ||||||
| Ciss | Capacité d'entrée |
VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz |
690 | PF | ||
| Coss | Capacité de sortie | 120 | PF | |||
| Crss | Capacité inverse de transfert | 90 | PF | |||
| Temps de commutation | ||||||
| le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | 11 | NS | |||
|
r t |
Temps de montée d'ouverture | 7,4 | NS | |||
| le TD () | Temps de retard d'arrêt | 35 | NS | |||
|
f t |
Temps d'arrêt d'automne | 9,1 | NS | |||
| Qg | Charge totale de porte | VDS=15V, ID=10A V GS=10V | 15,5 | OR | ||
| Qgs | Charge de Porte-source | 3,2 | OR | |||
| Qgd | Charge de Porte-drain | 4,7 | OR | |||
| Caractéristiques de diode de Source-drain | ||||||
| ISD | Courant de Source-drain (diode de corps) | 20 | A | |||
| VSD | Expédient sur la tension (note 1) | VGS=0V, IS=2A | 0,8 | V | ||
Soudure de ré-écoulement :
Le choix de la méthode de chauffage peut être influencé par le paquet en plastique de QFP). Si l'infrarouge ou le chauffage de phase vapeur est employé et
le paquet n'est pas absolument sec (moins de 0,1% teneurs en eau en poids), vaporisation d'un peu d'humidité
dans eux peut causer la fissuration du corps en plastique. Le préchauffage est nécessaire pour sécher la pâte et pour évaporer le lieur. Durée de préchauffage : 45 minutes à 45 °C.
La soudure de ré-écoulement exige de la pâte de soudure (une suspension des particules fines de soudure, du flux et du lieur) pour être appliquée au panneau de circuit imprimé par l'impression, la polycopie ou la pression-seringue d'écran distribuant avant le placement de paquet. Plusieurs méthodes existent pour reflowing ; par exemple, convection ou convection/chauffage infrarouge dans un type four de convoyeur. Les temps de sortie (préchauffage, soudant et se refroidissant) varient entre 100 et 200 secondes selon la méthode de chauffage.
Température ambiante typique de crête de ré-écoulement de 215 au °C 270 selon le matériel de pâte de soudure. La dessus-surface
la température des paquets si préférable d'être gardé en-dessous du °C 245 pour profondément/grands paquets (paquets avec une épaisseur
2,5 millimètres ou avec un volume 350 millimètres
3
soi-disant paquets épais/grands). La température de dessus-surface des paquets devrait
préférable soyez gardé en-dessous du °C 260 pour paquets minces/petits (paquets avec une épaisseur < 2="">
| Étape | Condition | Durée |
| 1' Ram de St vers le haut du taux | max3.0+/-2 /sec | - |
| Préchauffez | 150 ~200 | sec 60~180 |
| 2' Ram de ND | max3.0+/-2 /sec | - |
| Joint de soudure | 217 ci-dessus | sec 60~150 |
| Temp maximal | 260 +0/-5 | sec 20~40 |
| De Ram taux vers le bas | 6 /sec maximum | - |
Soudure de vague :
La soudure simple conventionnelle de vague n'est pas recommandée pour les dispositifs extérieurs (SMDs) de bâti ou les panneaux de circuit imprimé avec une densité composante élevée, car le pont et le non-mouillage en soudure peuvent présenter des problèmes majeurs.
Soudure de manuel :
Fixez le composant en soudant d'abord deux avances diagonal-opposées d'extrémité. Employez un bas fer à souder de tension (24 V ou moins) appliqué à la partie plate de l'avance. Le temps de contact doit être limité à 10 secondes à jusqu'à 300 °C. À l'aide d'un outil consacré, toutes autres avances peuvent être soudées dans une opération dans 2 à 5 secondes entre 270 et 320 °C.
Personne à contacter: David
