Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

transistor de puissance de transistor MOSFET de 10A 100V AP10N10DY pour les alimentations d'énergie de changement

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

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transistor de puissance de transistor MOSFET de 10A 100V AP10N10DY pour les alimentations d'énergie de changement

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Image Grand :  transistor de puissance de transistor MOSFET de 10A 100V AP10N10DY pour les alimentations d'énergie de changement

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: AP10N10DY
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

transistor de puissance de transistor MOSFET de 10A 100V AP10N10DY pour les alimentations d'énergie de changement

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET modèle: AP10N10DY
Paquet: TO-252-3 Repérage: AP10N10D XXX YYYY
Tension de VDSDrain-source: 100V Tension de rce de VGSGate-Sou: ±20A
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

transistor de puissance de transistor MOSFET de 10A 100V AP10N10DY pour les alimentations d'énergie de changement

 

Description de transistor de puissance de transistor MOSFET :

 

La technologie avancée de fossé d'utilisations d'AP10N10D/Y et
concevez pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS) la basse charge de porte.
Elle peut être employée dans une grande variété d'applications.

 

Caractéristiques de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

VDS = 100V, IDENTIFICATION = 10A
Conception à haute densité de cellules du RDS <160m> (DESSUS) le RDS <170m> (DESSUS) pour Rdson très réduit
Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés
Excellent paquet pour la bonne dissipation thermique

 

Application de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

Application de commutation de puissance
Circuits dur commutés et à haute fréquence
Alimentation d'énergie non interruptible

 

Inscription et information de commande de paquet

 

 

Identité de produit Paquet Repérage Quantité (PCS)
AP10N10D TO-252-3 AP10N10D XXX YYYY 2500
AP10N10Y TO-251-3 AP10N10Y XXX YYYY 4000

 

Capacités absolues (T A =25℃ sauf indication contraire)

 

Paramètre Symbole Limite Unité
Tension de Drain-source VDS 100 V
Tension de Porte-source VGS ±20 V
Vidangez Actuel-continu Identification 10 A
Vidangez Actuel-pulsé (note 1) IDM 20 A
Dissipation de puissance maximum Palladium 40 W
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage TJ, TSTG -55 à 175
Résistance thermique, Jonction-à-cas (note 2) RθJC 3,75 ℃/W

Caractéristiques électriques (MERCI =25℃ sauf indication contraire)

 

Paramètre Symbole Condition Minute Type Maximum Unité
Tension claque de Drain-source BVDSS VGS=0V ID=250μA 100 - - V
Courant zéro de drain de tension de porte IDSS VDS=100V, VGS=0V - - 1 μA
Courant de fuite de Porte-corps IGSS VGS=±12V, VDS=0V - - ±100 Na
Tension de seuil de porte VGS (Th) VDS=VGS, μA ID=250 1,0   2,5 V

 

Résistance de Sur-état de Drain-source

 

LE RDS (DESSUS)

VGS=10V, ID=3A - 140 160

 

mΩ

VGS=4.5V, ID=3A - 160 170
Transconductance en avant gFS VDS=5V, ID=3A - 5 - S
Capacité d'entrée Clss

 

VDS=50V, VGS=0V, F=1.0MHz

- 650 - PF
Capacité de sortie Coss - 25 - PF
Capacité inverse de transfert Crss - 20 - PF
Temps de retard d'ouverture le TD (dessus)   - 6 - NS
Temps de montée d'ouverture

r

t

- 4 - NS
Temps de retard d'arrêt le TD () - 20 - NS
Temps d'arrêt d'automne

f

t

- 4 - NS
Charge totale de porte Qg

 

VDS=50V, ID=3A,

- 20,6   OR
Charge de Porte-source Qgs - 2,1 - OR
Charge de Porte-drain Qgd - 3,3 - OR
Tension en avant de diode (note 3) VSD VGS=0V, IS=3A - - 1,2 V
Courant en avant de diode (note 2)

S

I

  - - 7 A
Paramètre Symbole Condition Minute Type Maximum Unité
Tension claque de Drain-source BVDSS VGS=0V ID=250μA 100 - - V
Courant zéro de drain de tension de porte IDSS VDS=100V, VGS=0V - - 1 μA
Courant de fuite de Porte-corps IGSS VGS=±12V, VDS=0V - - ±100 Na
Tension de seuil de porte VGS (Th) VDS=VGS, μA ID=250 1,0   2,5 V

 

Résistance de Sur-état de Drain-source

 

LE RDS (DESSUS)

VGS=10V, ID=3A - 140 160

 

mΩ

VGS=4.5V, ID=3A - 160 170
Transconductance en avant gFS VDS=5V, ID=3A - 5 - S
Capacité d'entrée Clss

 

VDS=50V, VGS=0V, F=1.0MHz

- 650 - PF
Capacité de sortie Coss - 25 - PF
Capacité inverse de transfert Crss - 20 - PF
Temps de retard d'ouverture le TD (dessus) VDD=50V, RL=19Ω
VGS=10V, RG=3Ω
- 6 - NS
Temps de montée d'ouverture

r

t

- 4 - NS
Temps de retard d'arrêt le TD () - 20 - NS
Temps d'arrêt d'automne

f

t

- 4 - NS
Charge totale de porte Qg

 

VDS=50V, ID=3A,

- 20,6   OR
Charge de Porte-source Qgs - 2,1 - OR
Charge de Porte-drain Qgd - 3,3 - OR
Tension en avant de diode (note 3) VSD VGS=0V, IS=3A VGS=10V - - 1,2 V
Courant en avant de diode (note 2)

S

I

  - - 7 A

 

Notes :

 

1. estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.

2. surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.

3. Essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.

4. Garanti par conception, pas sujet à la production

 

Attention

 

1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.

2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.

3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.

4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tâche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.

5, au cas où tout ou une partie de produits de la microélectronique d'APM (données techniques y compris, services) décrits ou contenus ci-dessus seraient commandés sous un quelconque de lois et de règlements de contrôle des exportations locales applicables, de tels produits ne doivent pas être exportés sans obtenir le permis d'exportation des autorités concernées selon la loi ci-dessus.

6, aucune partie de cette publication peuvent être reproduits ou transmis sous n'importe quelle forme ou par tous les moyens, électronique ou mécanique, y compris la photocopiage et l'enregistrement, ou n'importe quel système de stockage ou de récupération de l'information, ou autrement, sans autorisation écrite préalable du semi-conducteur Cie. de la microélectronique d'APM, Ltd.

7, l'information (schémas de circuit y compris et paramètres de circuit) est ci-dessus par exemple seulement ; on ne le garantit pas pour la production de masse. La microélectronique d'APM croit que l'information ci-dessus est précise et fiable, mais aucune garantie n'est faite ou est impliquée concernant son utilisation ou toutes les infractions à des droits de propriété intellectuelle ou à d'autres droits des tiers.

8, l'intégralité d'information décrits ou contenus ci-dessus sont sujets au changement sans préavis dû au produit/à amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer.

 

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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