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Détails sur le produit:
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| Number modèle :: | AP2N1K2EN1 | Type de fournisseur: | Fabricant original, Odm, agence, détaillant |
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| Marque :: | Marque originale | Type de paquet: | SOT-723 (N1) |
| D/C: | Le plus nouveau | Description :: | Transistor |
| Surligner: | transistor du transistor MOSFET 800mA,transistor du transistor MOSFET 0.15W,AP2N1K2EN1 IC Chips Transistor |
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Le composant électronique original du transistor AP2N1K2EN1 de transistor MOSFET/IC ébrèche
Description
Les séries d'AP2N1K2E sont de puissance avancée ont innové conception et technologie transformatrice de silicium de réaliser la plus basse possible sur-résistance et la représentation de changement rapide. Il fournit au concepteur un dispositif efficace extrême pour l'usage dans un large éventail d'applications de puissance.
Le paquet SOT-723 avec l'empreinte de pas très petite convient à toute l'application extérieure commercial-industrielle de bâti.
Notes :
largeur 1.Pulse limitée par la température de jonction maximale.
essai 2.Pulse
3.Surface a monté sur la protection d'en cuivre de mn du panneau FR4
Ce produit est sensible à la décharge électrostatique, manipulent svp avec soin.
Ce produit n'est pas autorisé pour être employé comme composant critique d'un système d'assistance vitale ou d'autres systèmes semblables.
L'APEC ne sera pas responsable d'aucune responsabilité résultant de l'application ou l'utilisation de n'importe quel produit ou circuit a décrit dans cet accord, ni elle assignera n'importe quel permis sous ses propriétés industrielles ou attribuera les droits d'autres.
L'APEC se réserve le droit d'apporter des modifications à n'importe quel produit dans cet accord sans préavis d'améliorer la fiabilité, la fonction ou la conception.
| Symbole | Paramètre | Estimation | Unités |
| VDS | Tension de Drain-source | 20 | V |
| VGS | Tension de Porte-source | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Vidangez le courant3, VGS @ 2.5V | 200 | mA |
| IDM | Courant pulsé1de drain | 400 | mA |
| IS@TA =25℃ | Courant de source (diode de corps) | 125 | mA |
| ISM | Courant de source pulsé1 (diode de corps) | 800 | mA |
| PD@TA =25℃ | Dissipation de puissance totale | 0,15 | W |
| TSTG | Température ambiante de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Température ambiante fonctionnante de jonction | -55 à 150 | ℃ |
Données thermiques
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| Rthj-a | Résistance thermique maximum,3Jonction-ambiants | 833 | ℃/W |
AP2N1K2EN
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Mn. | Type. | Maximum. | Unités |
| BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA | 20 | - | - | V |
| LE RDS (DESSUS) | Sur-résistance statique2de Drain-source | VGS =2.5V, IDENTIFICATION =200MA | - | - | 1,2 | Ω |
| VGS =1.8V, IDENTIFICATION =200MA | - | - | 1,4 | Ω | ||
| VGS =1.5V, IDENTIFICATION =40MA | - | - | 2,4 | Ω | ||
| VGS =1.2V, IDENTIFICATION =20MA | - | - | 4,8 | Ω | ||
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | VDS =VGS, IDENTIFICATION =1MA | 0,3 | - | 1 | V |
| gfs | Transconductance en avant | VDS =10V, IDENTIFICATION =200MA | - | 1,8 | - | S |
| IDSS | Courant de fuite de Drain-source | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | uA |
| IGSS | Fuite de Porte-source | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | uA |
| Qg | Charge totale de porte |
IDENTIFICATION =200MA VDS =10V VGS =2.5V |
- | 0,7 | - | OR |
| Qgs | Charge de Porte-source | - | 0,2 | - | OR | |
| Qgd | Charge de Porte-drain (« Miller ») | - | 0,2 | - | OR | |
| le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | VDS =10V | - | 2 | - | NS |
| TR | Temps de montée | Identification =150mA | - | 10 | - | NS |
| le TD () | Temps de retard d'arrêt | RG =10Ω | - | 30 | - | NS |
| tf | Temps de chute | .VGS =5V | - | 16 | - | NS |
| Ciss | Capacité d'entrée |
VGS =0V VDS =10V f=1.0MHz |
- | 44 | - | PF |
| Coss | Capacité de sortie | - | 14 | - | PF | |
| Crss | Capacité inverse de transfert | - | 10 | - | PF |
Diode de Source-drain
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Mn. | Type. | Maximum. | Unités |
| VSD | Expédiez sur la tension2 | EST =0.13A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
Personne à contacter: David
