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Détails sur le produit:
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| Number modèle :: | AP2602GY-HF | Empaquetage :: | Boîte de tube de plateau de bobine |
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| Condition :: | Nouveau 100% AP2602GY-HF | Type :: | Régulateur de tension |
| Nom de marque: | Original | Fiche technique :: | les pls nous contactent |
| Surligner: | Régulateur de tension de SOT-26 IC,régulateur de tension de 2W IC,régulateur de tension des circuits intégrés 30A |
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(Composants électroniques) nouveaux circuits intégrés d'AP2602GY-HF
Description
Les séries AP2602 sont de puissance avancée ont innové conception et technologie transformatrice de silicium de réaliser la plus basse possible sur-résistance et la représentation de changement rapide. Il fournit au concepteur un dispositif efficace extrême pour l'usage dans un large éventail d'applications de puissance.
Le paquet SOT-26 est très utilisé pour toutes les applications commercial-industrielles.
Ratings@Tj maximum absolu =25oC (sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Estimation | Unités |
| VDS | Tension de Drain-source | 20 | V |
| VGS | Tension de Porte-source | +12 | V |
| ID@TA =25℃ | Vidangez le courant3, VGS @ 4.5V | 6,3 | |
| ID@TA =70℃ | Vidangez le courant3, VGS @ 4.5V | 5 | |
| IDM | Courant pulsé1de drain | 30 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipation de puissance totale | 2 | W |
| Facteur de sous-sollicitation linéaire | 0,016 | W/℃ | |
| TSTG | Température ambiante de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Température ambiante fonctionnante de jonction | -55 à 150 | ℃ |
Données thermiques
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| Rthj-a | Résistance thermique maximum,3Jonction-ambiants | 62,5 | ℃/W |
AP2602GY-H
Characteristics@Tj électrique =25oC (sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Mn. | Type. | Maximum. | Unités |
| BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA | 20 | - | - | V |
| ΔBVDSS/ΔTj | Coefficient de température de tension claque | Référence à 25℃, identification =1mA | - | 0,1 | - | V/℃ |
| LE RDS (DESSUS) | Sur-résistance statique2de Drain-source | VGS =10V, IDENTIFICATION =5.5A | - | - | 30 | mΩ |
| VGS =4.5V, IDENTIFICATION =5.3A | - | - | 34 | mΩ | ||
| VGS =2.5V, IDENTIFICATION =2.6A | - | - | 50 | mΩ | ||
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA | 0,5 | 0,85 | 1,2 | V |
| gfs | Transconductance en avant | VDS =5V, IDENTIFICATION =5.3A | - | 13 | - | S |
| IDSS | Courant de fuite de Drain-source | VDS =20V, VGS =0V | - | - | 1 | uA |
| Courant de fuite de Drain-source (Tj =55oC) | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | uA | |
| IGSS | Fuite de Porte-source | VGS =+12V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
| Qg | Charge totale2de porte |
Identification =5.3A VDS =10V VGS =4.5V |
- | 8,7 | 16 | OR |
| Qgs | Charge de Porte-source | - | 1,5 | - | OR | |
| Qgd | Charge de Porte-drain (« Miller ») | - | 3,6 | - | OR | |
| le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture2 | VDS =15V | - | 6 | - | NS |
| TR | Temps de montée | Identification =1A | - | 14 | - | NS |
| le TD () | Temps de retard d'arrêt | RG =2Ω | - | 18,4 | - | NS |
| tf | Temps de chute | VGS =10V | - | 2,8 | - | NS |
| Ciss | Capacité d'entrée |
VGS =0V VDS =15V f=1.0MHz |
- | 603 | 1085 | PF |
| Coss | Capacité de sortie | - | 144 | - | PF | |
| Crss | Capacité inverse de transfert | - | 111 | - |
PF
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Diode de Source-drain
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Mn. | Type. | Maximum. | Unités |
| VSD | Expédiez sur la tension2 | EST =1.2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Temps de rétablissement inverse2 |
EST =5A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 16,8 | - | NS |
| Qrr | Charge inverse de récupération | - | 11 | - | OR |
Notes :
largeur 1.Pulse limitée par la température de jonction maximale.
essai 2.Pulse
3.Surface a monté sur 1 dansla protection2 de cuivre FR4 du panneau, t<> 10s ; 156℃/W quand a monté sur la protection de cuivre minimale.
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Personne à contacter: David
