Chine Transistor de puissance de silicium

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  Tension basse -5V d'émetteur de transistor de puissance du silicium A94 pour l'alimentation d'énergie mobile

  Tension de collecteur-base:-400V

  Dissipation de puissance de collecteur:0.5W

  tension d'Émetteur-base:-5V

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  Tension basse -5V NPN de commutation de B772 d'émetteur à haute tension de transistor

  Tension de collecteur-base:-40v

  La température de jonction:℃ 150

  tension d'Émetteur-base:-5V

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  Courant de collecteur matériel de silicium de transistor de puissance du silicium 2SD965A 600 mA

  Tension de collecteur-base:40V

  Courant de collecteur - continu:5A

  Tstg:-55~+150℃

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  2N5401 transistor de la puissance élevée PNP VCBO -160V pour les composants électroniques

  VCBO:-160V

  VCEO:-150V

  VEBO:-5V

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  Commutation à grande vitesse de la dissipation de puissance de collecteur de transistor de puissance du silicium D882 0.5W

  Tension de collecteur-base:40V

  Dissipation de puissance de collecteur:0.5W

  tension d'Émetteur-base:6v

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  Transistors encapsulés par plastique du transistor de puissance de silicium de MMBTA55 NPN SOT-23

  La température de jonction:℃ 150

  Type:Transistor de triode

  Application:l'alimentation d'énergie mobile a mené le contrôle de conducteur/moteur

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  Transistor à forte intensité d'A92 NPN, transistor de silicium de la puissance élevée NPN

  Tension de collecteur-base:-310V

  Type:Transistor de triode

  Affaire:Bande/plateau/bobine

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