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Transistors encapsulés par plastique du transistor de puissance de silicium de MMBTA55 NPN SOT-23

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
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Transistors encapsulés par plastique du transistor de puissance de silicium de MMBTA55 NPN SOT-23

Transistors encapsulés par plastique du transistor de puissance de silicium de MMBTA55 NPN SOT-23
Transistors encapsulés par plastique du transistor de puissance de silicium de MMBTA55 NPN SOT-23 Transistors encapsulés par plastique du transistor de puissance de silicium de MMBTA55 NPN SOT-23

Image Grand :  Transistors encapsulés par plastique du transistor de puissance de silicium de MMBTA55 NPN SOT-23

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: MMBTA55
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Transistors encapsulés par plastique du transistor de puissance de silicium de MMBTA55 NPN SOT-23

description de
La température de jonction: ℃ 150 Type: Transistor de triode
Application: l'alimentation d'énergie mobile a mené le contrôle de conducteur/moteur Matériau: de silicium
Courant de collecteur: 600 mA La température de stockage: -55~+150℃
Surligner:

high frequency transistor

,

power mosfet transistors

SOT-23 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors MMBTA55 (NPN)

 

CARACTÉRISTIQUE
 

l transistors de conducteur

 

Repérage : 2H

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base -60 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur -60 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -4 V
IC Courant de collecteur -500 mA
PC Dissipation de puissance de collecteur 225 mW
RΘJA Résistance thermique de jonction à ambiant 556 ℃/W
Tj La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55~+150

 
 
 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=-100ΜA, IE=0 -60     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC=-1mA, IB=0 -60     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO IE=-100ΜA, IC=0 -4     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=-60V, IE=0     -0,1 µA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE=-60V, IB=0     -0,1 µA
Gain actuel de C.C hFE (1) VCE=-1V, IC=-10mA 100   400  
  hFE (2) VCE=-1V, IC=-100mA 100      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=-100mA, IB=-10mA     -0,25 V
Tension d'émetteur de base VBE VCE=-1V, IC=-100mA     -1,2 V
Fréquence de transition pi VCE=-1V, IC=-100mA, f=100MHz 50     Mégahertz

 
 
 

 

 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TYPES 0,037 TYPES
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 RÉFÉRENCES 0,022 RÉFÉRENCES
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 
 
Transistors encapsulés par plastique du transistor de puissance de silicium de MMBTA55 NPN SOT-23 0
Transistors encapsulés par plastique du transistor de puissance de silicium de MMBTA55 NPN SOT-23 1
Transistors encapsulés par plastique du transistor de puissance de silicium de MMBTA55 NPN SOT-23 2
 
 
 
 

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