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Détails sur le produit:
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| Tension de collecteur-base: | 400V | La température de jonction: | ℃ 150 |
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| Tstg: | -55~+150℃ | Matériau: | de silicium |
| Courant de collecteur: | 600 mA | Dissipation de puissance de collecteur: | 500mW |
| Surligner: | transistor de commutateur électrique,transistors de transistor MOSFET de puissance |
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SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors A44 (NPN)
Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
Tension claque élevée
ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | 400 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 400 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | 6 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | 200 | mA |
| Missile aux performances améliorées | Courant de collecteur - pulsé | 300 | mA |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | 500 | mW |
| RθJA | Résistance thermique de jonction à ambiant | 250 | ℃/W |
| Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
| Tstg | Température de stockage | -55~+150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | États d'est de T | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=100ΜA, C.-À-D. =0 | 400 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | V (BR) CEO* | IC=1mA, IB=0 | 400 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.-À-D. =10ΜA, IC=0 | 6 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB=400V, C.-À-D. =0 | 0,1 | µA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=4V, IC=0 | 0,1 | µA | ||
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Gain actuel de C.C |
hFE (1)* | VCE=10V, IC=1mA | 40 | |||
| hFE (2)* | VCE=10V, IC=10mA | 50 | 200 | |||
| hFE (3)* | VCE=10V, IC=50mA | 45 | ||||
| hFE (4)* | VCE=10V, IC=100mA | 40 | ||||
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Tension de saturation de collecteur-émetteur |
VCE (reposé) * |
IC=1mA, IB=0.1mA | 0,4 | V | ||
| IC=10mA, IB=1mA | 0,5 | V | ||||
| IC=50mA, IB=5mA | 0,75 | V | ||||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) * | IC=10mA, IB=1mA | 0,75 | V | ||
| Capacité de sortie de collecteur | Épi | VCB=20V, C.-À-D. =0, f=1MHz | 7 | PF | ||
| Capacité d'entrée d'émetteur | Cib | VBE=0.5V, IC=0, f=1MHz | 130 | PF |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 1,400 | 1,600 | 0,055 | 0,063 |
| b | 0,320 | 0,520 | 0,013 | 0,020 |
| b1 | 0,400 | 0,580 | 0,016 | 0,023 |
| c | 0,350 | 0,440 | 0,014 | 0,017 |
| D | 4,400 | 4,600 | 0,173 | 0,181 |
| D1 | 1,550 Réf. | 0,061 Réf. | ||
| E | 2,300 | 2,600 | 0,091 | 0,102 |
| E1 | 3,940 | 4,250 | 0,155 | 0,167 |
| e | 1,500 TYPE. | 0,060 TYPES. | ||
| e1 | 3,000 TYPE. | 0,118 TYPES. | ||
| L | 0,900 | 1,200 | 0,035 | 0,047 |
Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L
Bande et bobine de SOT-89-3L
Personne à contacter: David
