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Aperçu ProduitsTransistors de puissance d'astuce

température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce 2N3904

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Stabilisateur IC de tension

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce 2N3904

température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce 2N3904
température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce 2N3904

Image Grand :  température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce 2N3904

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 2N3904
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce 2N3904

description de
Nom du produit: type de triode de semi-conducteur Application: l'alimentation d'énergie mobile a mené le contrôle de conducteur/moteur
Matériau: de silicium tension d'Émetteur-base: 6v
Affaire: Bande/plateau/bobine
Surligner:

transistor de pnp d'astuce

,

transistor de pnp de puissance élevée

SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 2N3904 (NPN).

 

 

 

CARACTÉRISTIQUE

Transistor planaire épitaxial de silicium de Ÿ NPN pour le changement et les applications d'amplificateur

Ÿ en tant que type complémentaire, le transistor 2N3906 de PNP est recommandé

Ce transistor de Ÿ est également disponible dans le cas SOT-23 avec le type la désignation MMBT3904

 

 

température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce 2N3904 0

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
2N3904 TO-92 Le volume 1000pcs/Bag
2N3904-TA TO-92 Bande 2000pcs/Box

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 60 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 40 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 6 V
IC Courant de collecteur - continu 0,2 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 0,625 W
TJ La température de jonction 150 Š
Tstg Température de stockage -55-150 Š

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire

 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=10ΜA, C.-À-D. =0 60     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC= 1mA, IB=0 40     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = 10µA, IC=0 6     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=60V, C.-À-D. =0     0,1 µA
Courant de coupure de collecteur ICEX VCE=30V, Veb() =3V     0,05 µA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB= 5V, IC=0     0,1 µA

 

Gain actuel de C.C

 hFE1 VCE=1V, IC=10mA 100   400  
hFE2 VCE=1V, IC=50mA 60      
hFE3 VCE=1V, IC=100mA 30      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=50mA, IB=5mA     0,3 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC=50mA, IB=5mA     0,95 V
Fréquence de transition fT VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz 300     MHZ
Temps de retard td

VCC=3V, VBE=0.5V,

IC=10mA, IB1=1mA

     35 NS
Temps de montée tr     35 NS
Temps d'entreposage ts

VCC=3V, IC=10mA

IB1=IB2=1mA

     200 NS
Temps de chute tf     50 NS

 

 

CLASSIFICATION de hFE1

Rang O Y G
Nge de Ra 100-200 200-300 300-400

 
 
Caractéristiques typiques
 
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 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TYPE 0,050 TYPES
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 
 
 Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L
 
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Disposition de protection suggérée par TO-92
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TO-92 7DSH DQG 5HHO

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Produit Tag:

transistor de pnp de puissance élevée,

transistors de série d'astuce,

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Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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À propos

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