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Matériel de silicium des transistors de puissance d'astuce de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
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Matériel de silicium des transistors de puissance d'astuce de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V

Matériel de silicium des transistors de puissance d'astuce de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V
Matériel de silicium des transistors de puissance d'astuce de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V

Image Grand :  Matériel de silicium des transistors de puissance d'astuce de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: B772M
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Matériel de silicium des transistors de puissance d'astuce de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V

description de
VCBO: -40v VCEO: -30V
La température de stockage: -55-150℃ Transistor de transistor MOSFET de puissance: TO-251-3L Plastique-s'encapsulent
Matériau: de silicium Type: Transistor de triode
Surligner:

tip series transistors

,

high power pnp transistor

TO-251-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors B772M (PNP)

 

 

CARACTÉRISTIQUES

 

Commutation à vitesse réduite

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)
 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base -40 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur -30 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -6 V
IC Courant de collecteur - continu -3 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 1,25 W
RӨJA Résistance thermique, jonction à ambiant 100 ℃/W
Tj La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55-150

 
 
 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=-100μA, C.-À-D. =0 -40     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC= -10MA, IB=0 -30     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = -100ΜA, IC=0 -6     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB= -40V, C.-À-D. =0     -1 μA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE=-30V, IB=0     -10 μA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=-6V, IC=0     -1 μA
Gain actuel de C.C hFE VCE= -2V, IC= -1A 60   400  
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=-2A, IB= -0.2A     -0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC=-2A, IB= -0.2A     -1,5 V

 

Fréquence de transition

pi

VCE= -5V, IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

 

80

 

 

Mégahertz

 
  

CLASSIFICATION DEFede h(2)

Rang R O Y LE GR
Gamme 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Caractéristiques typiques

 

 
 Matériel de silicium des transistors de puissance d'astuce de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V 0Matériel de silicium des transistors de puissance d'astuce de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V 1Matériel de silicium des transistors de puissance d'astuce de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V 2Matériel de silicium des transistors de puissance d'astuce de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V 3

 

 

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
Minimal. Maximum. Minimal. Maximum.
A 2,200 2,380 0,087 0,094
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
B 0,800 1,400 0,031 0,055
b 0,710 0,810 0,028 0,032
c 0,460 0,560 0,018 0,022
c1 0,460 0,560 0,018 0,022
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,130 5,460 0,202 0,215
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,286 TYPE. 0,090 TYPES.
e1 4,327 4,727 0,170 0,186
M 1.778REF. 0.070REF.
N 0.762REF. 0.018REF.
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
V 4,830 Réf. 0,190 Réf.
ĭ 1,100 1,300 0,043 0.0±1

 

 

 

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