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Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002

Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002
Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002

Image Grand :  Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 3DD13002
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002

description de
La température de stockage: -55~150℃ TJ: ℃ 150
Dissipation de puissance de collecteur: 1.25W Nom du produit: type de triode de semi-conducteur
Courant de collecteur: 3.5A Type: Transistor de triode
Surligner:

transistor de pnp d'astuce

,

transistor de pnp de puissance élevée

TO-251-3L/TO-252-2L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 3DD13002 (NPN)

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Applications de commutation de puissance

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 600 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 400 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 6 V
IC Courant de collecteur - continu 1 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 1,25 W
TJ La température de jonction 150 ℃
Tstg Température de stockage -55~150 ℃

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC= 100μA, C.-À-D. =0 600     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC= 1mA, IB=0 400     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = 100μA, IC=0 6     V

 

Courant de coupure de collecteur

 ICBO VCB= 600V, C.-À-D. =0     100 µA
  ICEO VCB= 400V, C.-À-D. =0     100 µA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB= 7V, IC=0     100 µA

 

Gain actuel de C.C

 hFE1 VCE= 10 V, IC= 200mA 9   40  
  hFE2 VCE= 10 V, IC= 0.25mA 5      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=200mA, IB= 40mA     0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VSOYEZ (reposé) IC=200mA, IB= 40mA     1,1 V

 

Fréquence de transition

 

fT

VCE=10V, IC=100mA

f =1MHz

 

5

    

 

Mégahertz
Temps de chute tf IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Temps d'entreposage ts       2,5 µs

 

 

CLASSIFICATION de hFE1

Gamme 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 


Caractéristiques typiques

 

 Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002 0Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002 1Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002 2Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002 3
 

 

Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minimal. Maximum. Minimal. Maximum.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 1,050 1,350 0,042 0,054
B 1,350 1,650 0,053 0,065
b 0,500 0,700 0,020 0,028
b1 0,700 0,900 0,028 0,035
c 0,430 0,580 0,017 0,023
c1 0,430 0,580 0,017 0,023
D 6,350 6,650 0,250 0,262
D1 5,200 5,400 0,205 0,213
E 5,400 5,700 0,213 0,224
e 2,300 TYPE. 0,091 TYPES.
e1 4,500 4,700 0,177 0,185
L 7,500 7,900 0,295 0,311

 

 

Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002 4

 

 

Produit Tag:

transistor de pnp de puissance élevée,

transistors de série d'astuce,

transistor de pnp d'astuce

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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