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Aperçu ProduitsTransistor MOSFET à canal double

MBR1030,35,40,45,50 diodes encapsulées par plastique à canal double du transistor MOSFET TO-220A

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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MBR1030,35,40,45,50 diodes encapsulées par plastique à canal double du transistor MOSFET TO-220A

MBR1030,35,40,45,50 diodes encapsulées par plastique à canal double du transistor MOSFET TO-220A
MBR1030,35,40,45,50 diodes encapsulées par plastique à canal double du transistor MOSFET TO-220A

Image Grand :  MBR1030,35,40,45,50 diodes encapsulées par plastique à canal double du transistor MOSFET TO-220A

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: MBR1030,35,40,45,50
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

MBR1030,35,40,45,50 diodes encapsulées par plastique à canal double du transistor MOSFET TO-220A

description de
Type: Puce de barrière de Schottky D'entité: Perte de puissance faible, rendement élevé
Tension de blocage de C.C: 30-50V E/S: 10A
Identité de produit: FS1A PAR FS1M Dissipation de puissance: 2 W
Surligner:

transistor MOSFET de mode d'amélioration

,

transistor MOSFET de grande vitesse

MBR1030,35,40,45,50 TO-220A Plastique-encapsulent le pont redresseur de Schottky de diodes


 

CARACTÉRISTIQUE
 
Puce de barrière de Schottky
Perte de puissance faible, rendement élevé
L'anneau de garde meurent construction pour la protection passagère
Capacité de crête élevée
Capacité à forte intensité et basse chute de tension en avant
 
 
MAXIMUMRATINGS (Ta=25℃unlessotherwisenoted)
MBR1030,35,40,45,50 diodes encapsulées par plastique à canal double du transistor MOSFET TO-220A 0
 
ELECTRICALCHARACTERISTICS (Ta=25℃unlessotherwisespecified)
 
MBR1030,35,40,45,50 diodes encapsulées par plastique à canal double du transistor MOSFET TO-220A 1
 
TO-220APackageOutlineDimensions
MBR1030,35,40,45,50 diodes encapsulées par plastique à canal double du transistor MOSFET TO-220A 2
 
 
 

Produit Tag:

transistor MOSFET de mode d'amélioration,

transistor MOSFET de grande vitesse,

transistor MOSFET à double portail

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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