Nom du produit:transistor de puissance de transistor MOSFET
VDSS:20V
Matériau:de silicium
Nom du produit:transistor de puissance de transistor MOSFET
VDS:30V
Le RDS (DESSUS) < 35mΩ:(VGS = 4.5V)
Nom du produit:transistor de puissance de transistor MOSFET
La température de jonction ::150℃
Matériau:de silicium
Nom du produit:transistor de puissance de transistor MOSFET
VDS:30V
Identification (à VGS=10V):13A
Nom du produit:transistor de puissance de transistor MOSFET
Le RDS (DESSUS) (à VGS=10V):< 24m="">
Matériau:de silicium
Nom du produit:transistor de puissance de transistor MOSFET
Application:Commutation à haute fréquence
Matériau:de silicium
Nom du produit:transistor de puissance de transistor MOSFET
La température de jonction ::150℃
Matériau:de silicium
Structure:structure verticale
V tension de Drain-source de SAD:-40 V
V tension de Porte-source de GSS:±20 V
Nom du produit:transistor de puissance de transistor MOSFET
V tension de Drain-source de SAD:-60 V
V tension de Porte-source de GSS:±20 V
Nom du produit:Transistor à effet de champ de MOS
V tension de Drain-source de SAD:30 V
V tension de Porte-source de GSS:±20 V
Nom du produit:transistor de puissance de transistor MOSFET
V tension de Drain-source de SAD:30 V
V tension de Porte-source de GSS:±20 V
Nom du produit:Transistor à effet de champ de MOS
V tension de Drain-source de SAD:60 V
V tension de Porte-source de GSS:±25 V